桂教版九年级下册第一课 综合活动一 了解CPU的发展历史课文内容课件ppt

这是一份桂教版九年级下册第一课 综合活动一 了解CPU的发展历史课文内容课件ppt，共17页。PPT课件主要包含了CPU发展史，CPU的生产过程，不断进步的生产工艺，两种泄漏电流等内容，欢迎下载使用。
Intel 第一块CPU 4004,4位（字长）处理器, 位宽4bit ， 主频108kHz, 运算速度0.06MIPs(每秒百万条指令),集成晶体管2,300个,10微米制造工艺,最大寻址内存640 bytes,生产日期1971年11月.
8008,8位处理器,主频200kHz,位宽8bit，运算速度0.06MIPs,集成晶体管3,500个,10微米制造工艺,最大寻址内存16KB,生产日期1972年4月.
8080,8位处理器,主频2MHz,位宽8bit，运算速度0.64MIPs,集成晶体管6,000个,6微米制造工艺,最大寻址内存64KB,生产日期1974年4月
8085,8位处理器,主频5MHz,运算速度0.37MIPs,集成晶体管6,500个,3微米制造工艺,最大寻址内存64KB,生产日期1976年
Pentium （奔腾）4 (478针),至今分为三种核心:Willamette核心(主频1.5G 起,FSB400MHZ,0.18微米制造工艺),Nrthwd核心(主频1.6G~3.0G,FSB533MHZ,0.13微米制造工艺, 二级缓存512K),Presctt核心(主频2.8G起,FSB800MHZ,0.09微米制造工艺,1M二级缓存,13条全新指令集SSE3),生产日期2001年7月
Pentium(奔腾） 4 (Willamette核心,423针),主频1.3G~1.7G,FSB400MHZ,0.18微米制造工艺,Scket423接口, 二级缓存256K,生产日期2000年11月
8086,16位微处理器,工作频率4.77MHZ,，位宽16bit，运算速度0.75MIPs,集成晶体管29,000个,3微米制造工艺,最大寻址内存1MB,生产日期1978年6月.
8088,准16位微处理器,工作频率 4.77MHZ,位宽（内部16bit/外部8bit），集成晶体管29,000个,3微米制造工艺,最大寻址内存1MB,生产日期1979年6月
80286,16位处理器,主频6~25MHZ,位宽16bit，运算速度最高2.66MIPs,集成晶体管134,000个,1.5微米制造工艺,最大寻址内存16MB,生产日期1982年.
80386DX,32位处理器,主频16~33MHZ,位宽32bit，运算速度最高达10MIPs,集成晶体管275,000个,1.5微米制造工艺,最大寻址内存4GB,生产日期1985年10月.
Pentium(奔腾） Pr,64位处理器,主频133~200MHZ,位宽32bit，总线频率66MHZ,运算速度达到300~440MIPs,集成晶体管5.5M个,1微米制造工艺,387针Scket8接口,最大寻址内存64GB,缓存16/256kB~1MB,生产日期1995年11月
Pentium（奔腾） II,64位处理器,主频200~MHZ,总线频率66/100MHZ,位宽32bit，运算速度达到560~770MIPs,集成晶体管7.5M个,1微米制造工艺,全新SLOT1接口,最大寻址内存64GB,L1缓存16kB,L2缓存512KB,生产日期1997年3月
Pentium （奔腾）II Xen(至强),64位处理器,主频400/450MHZ,位宽32bit，总线频率100MHZ,全新SLOT2接口,最大寻址内存64GB,L1缓存16kB,L2缓存512KB~2MB,生产日期1998年
Celern（赛扬）一代, 主频266/300MHZ L2 cache, Cvingtn芯心 (Klamath based),300~533MHz w/128kB L2 cache, Mendcin核心 (Deschutes-based), 总线频率66MHz,0.25微米制造工艺,生产日期1998年4月)
Pentium（奔腾） III,64位处理器,主频450MHz，位宽32bit，集成晶体管950万个，0.25~0.18微米制造工艺,生产日期1999~2000年.
Pentium（奔腾） III Xen,分为早期的Tanner核心(0.25微米制造工艺,256KB缓存),后来的Cascades核心(总线频率133MHZ,L2缓存2MB,0.18微米制造工艺),生产日期1999年
Celern（赛扬）二代,主频533MHZ~1GHZ(Cppermine核心: 1.6V, 总线频率66/100MHZ, L2缓存128K,Scket 370),0.18微米制造工艺,生产日期2000年
2001年：英特尔安腾（Itanium）处理器 2002年：英特尔安腾2处理器（Itanium2） 2003年：英特尔 奔腾 M（Pentium M） /赛扬 M （Celern M）处理器 2005年：Intel Pentium D 处理器 2005年：Intel Cre处理器 2006年：Intel Cre 2 （酷睿2）/ 赛扬 Du 处理器 2007年：Intel 四核心服务器用处理器 2007年：Intel QX9770四核至强45nm处理器 2008年：Intel Atm凌动处理器 2009年：Cre i5(LGA1156)750/740 处理器
2010年上半年，Intel发布了2010全新Cre（酷睿） i5/i3以及六核Cre i7 980X，AMD也发布了六核Phenm II X6 1000T系列，两家均完成了今年CPU市场的布局。下半年，Intel/AMD都没有真正意义上的新品发布，但这不代表他们放缓CPU更新换代的脚步，相反他们都在酝酿2011年发布的下一代CPU。这次Intel将更新CPU微架构，AMD则是发布全新的“APU”，都是具有重要意义的产品。CPU的发展也将永无止尽。
硅提纯切割晶圆影印（Phtlithgraphy）蚀刻(Etching)重复、分层封装多次测试
晶圆尺寸蚀刻尺寸金属互连层
CPU制造工艺前进方向
SOI技术Lw K互连层技术应变硅技术
门泄漏——电子的一种自发运动，由负极的硅底板通过管道流向正极的门亚阈泄漏——通过晶体管通道的硅底板进行的电子自发从负极流向正极的运动