高中沪科技版（2020）3.1金属晶体课堂检测

这是一份高中沪科技版（2020）3.1金属晶体课堂检测，共15页。试卷主要包含了选择题，填空题，解答题等内容，欢迎下载使用。


一、选择题
1．硒化锌是一种重要的半导体材料，其晶胞结构如图甲所示，已知晶胞参数为pnm，图乙为晶胞的俯视图。下列说法正确的是
A．晶胞中硒原子的配位数为8B．晶胞中d点原子分数坐标为(，，)
C．硒位于第四周期第ⅣA族D．Zn和Se的最短距离为pnm
2．硼单质及其化合物有重要的应用。硼晶体熔点为2076℃，可形成多种卤化物，可与反应生成，可与反应生成乙硼烷(标准燃烧热为)，其分子中一个硼与周围的四个氢形成正四面体，结构式为，具有还原性。乙硼烷也可与NaH反应生成，−1价的氢有较强的还原性，是一种常用的还原剂。下列说法正确的是
A．硼晶体为分子晶体B．基态硼原子的核外电子排布式为
C．与中心原子均为杂化D．晶体中存在离子键、共价键、氢键
3．砷(As)、镓(Ga)等形成的化合物在现代工业中有广泛的用途，其中砷化镓是一种重要的半导体材料，晶胞结构如图所示，其熔点为1238℃，以下说法正确的是
A．一个晶胞中As原子的个数为2 B．砷化镓晶体中每个原子均形成4个共价键
C．As的配位数是2D．砷化锌、砷化铝、砷化硼的熔沸点逐渐降低
4．硒化锌是一种重要的半导体材料，图甲为其立方晶胞结构，图乙是其晶胞的俯视图。已知阿伏加德罗常数的值为NA，a点的坐标为(0，0，0)，b点的坐标为(1，1，1)，晶胞参数为npm。下列说法错误的是
A．基态Se2-的简化电子排布式为[Ar]3d94s24p6
B．c点Zn2+的坐标为(，，)
C．晶体中相邻两个Zn2+的最短距离为势pm
D．晶体中每个Se2-周围紧邻且距离相等的Se2-共有12个
5．下图是某富锂超离子导体的立方体晶胞，阿伏加德罗常数的值为 下列说法错误的是
A．晶体的化学式为Li3OCl
B．图中氧原子的配位数为6
C．图中Cl-O原子的最近距离与Li-O原子的最近距离相等
D．图中晶体密度为 g/cm3
6．经理论计算预测，一种由汞(Hg)、锗(Ge)、锑(Sb形成的新物质X为潜在的拓扑绝缘体材料。X的晶体可视为金刚石晶体中的C原子被Hg、Ge和Sb取代后形成。其晶胞如图所示，下列说法正确的
A．、、三种元素都位于周期表的ds区
B．设X的最简式的式量为Mr，则X晶体的密度为
C．晶体中与距离最近的的数目为6
D．X晶体是一种合金，内部有自由电子，是电的良导体
7．表示阿伏加德罗常数的值。俗名为“臭碱”的硫化钠广泛应用于冶金、染料、皮革、电镀等工业，其晶胞如图所示。硫化钠的一种制备方法是。下列有关说法正确的是
A．溶液中键总数为
B．晶胞中含有的离子数目为
C．通常状况下，中含有的键数目为
D．石墨中含有六元环数为
8．晶胞结构中的位置如图1所示。位于所构成的四面体中心，其晶胞俯视图如图2所示。若晶胞参数为，阿伏加德罗常数的数值为，下列说法正确的是
A．晶胞中，的配位数为8B．晶体的密度为
C．晶胞中，之间的最短距离为D．晶胞中，填充了8个四面体空隙
9．理论计算预测，由永、锗、锑形成的一种新物质为潜在的拓扑绝缘体材料。的晶体可视为晶体(晶胞如图所示)中部分原子被和取代后形成(图为的晶胞结构)。下列说法错误的是
A．图a晶胞中含有8个Ge原子
B．X晶胞的化学式为
C．X的晶体中与Hg距离最近的Sb的数目为4
D．X晶体密度为(为阿伏加德罗常数的值)
10．铁有δ、γ、α三种同素异形体，其晶胞结构如图所示，下列判断正确的是
A．δ、γ、α铁晶体中存在金属阳离子和阴离子
B．晶胞中所含有的铁原子数为9
C．δ、α两种晶胞中铁原子周围等距离且最近的铁原子个数之比为3∶1
D．若晶胞棱长为acm，晶胞棱长为bcm，则两种晶体的密度比为
11．砷化镓是当代国际公认的继“硅”之后最成熟的半导体材料，是光电子和微电子工业最重要的支撑材料之一、砷化镓晶胞如图所示。(设为阿伏加德罗常数的值)
下列叙述中错误的是
A．晶体的熔点：砷化镓<氮化镓B．晶胞中的键长为
C．砷化镓晶体中存在非极性共价键D．该晶体的理论密度为
12．因生产金属铁的工艺和温度不同，产生的铁单质的晶体结构、密度和性质均不同，铁的晶体中铁原子有三种堆积方式，其中两种立方晶胞结构如图所示。下列关于铁或其晶胞的说法中正确的是
A．铁在周期表中位于第四周期第VIIIB族，是过渡元素也是副族元素
B．在两种晶胞中，每个Fe原子周围均有8个与之距离相等且最近的Fe原子
C．若ɑ-Fe晶胞边长为bpm，则Fe原子半径r=bpm
D．若β-Fe晶胞中最近的两个Fe原子核间距为apm，阿伏加德罗常数为NA，晶胞的密度表达式是
13．反应可用于制备碳化钙。下列说法正确的是
A．碳单质一定为共价晶体B．中子数10的O原子表示为
C．基态Ca原子价电子排布图为D．的电子式为
14．有一种有超导性的硼镁化合物，晶体结构属于立方晶系。其晶体结构、晶胞沿轴的投影图如图所示，关于其晶体下列说法正确的
A．该化合物的化学式为B．一个晶胞中含有2个
C．最近距离为D．与距离最近且相等的有8个
15．SiC具有优良的导热性能，是一种半导体，高温时能抗氧化。其晶胞结构如图所示，已知m的坐标参数为(，，)，晶胞参数为apm。下列说法错误的是
A．Si位于周期表p区B．晶胞中n的坐标参数为(，，)
C．每个Si周围最近的Si数目是6D．C原子与Si原子之间的最短距离为apm
二、填空题
16．运用物质结构与性质的相关知识，回答下列问题：
(1)分子中，与原子相连的呈正电性，与原子相连的呈负电性电负性大小顺序是 。基态原子中能量最高的电子所在的原子轨道的电子云在空间上有 个伸展方向，原子轨道呈 形。
(2)的价层电子排布式为在周期表中的位置为 ，价电子轨道表示式为 。
(3)是离子晶体，其晶格能可通过Brn-Haber循环计算得到。
通过图中数据 (填“能”或“不能”)计算出原子的第一电离能，的晶格能为 。
(4)GaAs的晶胞结构如图甲。将Mn掺杂到GaAs的晶体中得到稀磁性半导体材料(图乙)。
①GaAs晶胞中距离Ga原子最近As原子的个数为 。
②掺杂之后，晶体中的原子个数比为 (化为最简整数比)。
17．硼、砷、铁等元素可形成结构、性质各异的物质，在生产、科研中发挥着重要用途。回答下列问题：
(1)下列不同状态的硼中，失去一个电子需要吸收能量最多的是 (填标号，下同)，用光谱仪可捕捉到发射光谱的是 。
A． B．
C． D．
(2)同周期中第一电离能大于砷的元素有 种。CH3As(OH)2与(CH3)2AsOH两种含砷有机酸中沸点较高的是 (填化学式)，原因为 。
(3)LiZnAs晶体的立方晶胞结构如图1所示，N点原子分数坐标为(，，)；LiZnAs晶体部分Zn原子被Mn原子代替后可以形成一种新型稀磁半导体LiZnmMnnAs，其立方晶胞结构如图2所示。
①M点原子分数坐标为 。
②m=
③已知NA为阿伏加德罗常数的值，LiZnmMnnAs的摩尔质量为Mg/ml，晶体密度为dg/cm3。晶胞中As原子与Mn原子之间的最短距离为 nm(列出计算式)。
(4)FeSO4·7H2O的结构如图所示。
图示FeSO4·7H2O结构中键角1、2、3由大到小的顺序是 (填序号)。
三、解答题
18．我国某科研工作者制备了一种高性能的钾离子电池负极材料(Bi-MOF)，如图所示。回答下列问题：
(1)铋的原子序数为83，则铋在元素周期表中的位置为 ，能量最高的电子所占据的原子轨道的电子云轮廓图为 形。
(2)BTC中C原子的杂化类型有 。
(3)该电池负极材料充电时，会形成钾铋合金(化学式为)，其晶胞结构如图。晶胞参数为、、，以晶胞参数为单位长度建立原子分数坐标，表示晶胞中的原子位置，若1号原子的坐标为，3号原子的坐标为。
①2号原子的坐标为 。
②设为阿伏加德罗常数的值，该晶体的密度为 (列式即可)。
19．《化学世界》刊载了我国科学家的研究成果：在钴锰氧化物的催化作用下，偶氮桥联二呋咱高能炸药也可作固体火箭推进剂，M是合成该推进剂的中间体，M的结构简式如图所示。回答下列问题：
(1)C、N、O的第一电离能由大到小的顺序是 。
(2)中间体M分子中，碳原子的杂化类型是 。
(3)C和Ni都属于第Ⅷ族元素，均能与等配体组成配合物。
①一种Ni2+配离子的结构如图所示，该配离子中存在的化学键类型有 (填标号)。
A．离子键 B．σ键 C．π键 D．氢键 E．配位键
②写出与SCN-互为等电子体的一种分子 ，SCN-的结构式 ，SCN-与金属离子形成的配合物中配位原子一般是S而不是N，其原因是 。
(4)CO熔点高于MnO的原因是 。
(5)KMnF3晶体有钻钛矿型的立方结构，晶胞结构如图1所示。
①若原子坐标参数A为(0,0,0)；B为，则C原子的坐标参数为 。
②若阿伏加德罗常数的值为NA，晶胞参数为anm，则晶体密度为 g∙cm-3。
③在KMnF3晶胞结构的另一种表示中，Mn处于各顶角位置。该晶胞结构中，沿立方格子对角面取得的截图如图2所示。F在晶胞中的位置为 (填阿拉伯数字序号)。
参考答案：
1．D
【详解】A．根据均摊法，晶胞中Zn的个数为4，Se的个数为4，Se在顶点，与Zn构成的立体结构为正四面体，与其距离最近的Zn原子的个数为4，故A错误；
B．将晶胞均分为8个小立方体，原子d应在上层四个小立方体的右前面一个小立方体的体心，d的分数坐标为，故B错误；
C．Se位于周期表中第四周期VIA族，属于p区，故C错误；
D．图中相邻的Zn与Se之间的距离为体对角线的，则相邻的Se和Zn之间的距离为，D正确；
故答案为：D。
2．B
【详解】A．硼晶体熔点为2076℃，熔点很高，应该为共价晶体，A错误；
B．B为5号元素，基态硼原子的核外电子排布式为，B正确；
C．中心原子B原子的价层电子对数为，无孤电子对，为杂化；观察结构，可知中心原子B形成4个σ键，无孤电子对，所以B原子的杂化方式为杂化，C错误；
D．晶体中存在钠离子和离子之间的离子键、内部的B-H共价键，不存在氢键，D错误；
故选B。
3．B
【详解】A．一个晶胞中As原子的个数为，选项A错误；
B．根据砷化镓晶体分析，晶胞中每个原子均形成4个共价键，选项B正确；
C．以晶胞右侧面As分析，左边有两个Ga相连，同理右边两个Ga相连，因此As的配位数是4，选项C错误；
D．砷化镓、砷化铝、砷化硼都是共价晶体，r(Ga)＞r(Al)＞r(B)，因此砷化镓、砷化铝、砷化硼的键长逐渐减小，键能逐渐增大，则熔沸点逐渐升高，选项D错误；
答案选B。
4．A
【详解】A．Se为34号元素，Se2-核外电子数为34+2=36，根据能量最低原则、泡利不相容原理和洪特规则，基态Se2-的电子排布式为[Ar]3d104s24p6，A错误；
B．将晶胞分成8个小立方体，c原子位于左后上方的小立方体的体心上，a点坐标为(0，0，0)，b点坐标为为(，，)，则c点Zn2+的坐标为(，，)，B正确；
C．c点Zn2+的坐标为(，，)，与c点Zn2+最近的Zn2+的坐标为(，，)，故晶体中相邻两个Zn2+的最短距离为势pm ，C正确；
D．以晶体中顶点Se2-为中心，周围紧邻且距离相等的Se2-为面心的Se2-，共有12个，D正确；
故选A。
5．C
【详解】A．根据均摊法，晶胞中含Li：=3，O：，Cl：，晶体的化学式为Li3OCl，故A正确；
B．晶胞中，O位于面心，与O等距离最近的Li有6个，氧原子的配位数为6，故B正确；
C．Cl-O原子的最近距离=pm，Li-O原子的最近距离=pm，故C错误；
D．1个晶胞的质量为，晶胞的体积为a310-30cm3，则晶胞的密度为g/cm3，故D正确。
答案选C。
6．B
【详解】A．Hg元素位于周期表的ds区，Ge、Sb两种元素都位于周期表的p区，A错误；
B．根据均摊法，X晶胞中Hg的个数为，Ge的个数为，Sb的个数为8，则晶体的化学式为HgGeSb2，设X的最简式的式量为Mr，则X晶体的密度为，B正确；
C．由图可知，离面心Hg原子最近的Sb原子有4个，C错误；
D．由题干可知，新物质X为潜在的拓扑绝缘体材料，不是电的良导体，D错误；
故选B。
7．C
【详解】A．Na2SO4中含有σ键数为1L×0.25ml/L×4NA=NA，H2O中也含有σ键，溶液中σ键总数大于NA，A错误；
B．由图可知，黑球位于顶点和面心，个数为8×+6×=4，8个白球位于体内，则黑球为钠离子，白球为硫离子，即1个晶胞中含有12个离子，1mlNa2S晶胞中含有的离子数目为12NA，B错误；
C．1个CO2中含有2个π键，则44g即=1mlCO2中含有的π键数目为2NA，C正确；
D．石墨中1个六元环含有2个C原子，则12g石墨中含有六元环数为0.5NA，D错误；
故答案为：C。
8．B
【分析】该晶胞中个数==4，所构成的四面体空隙有8个，根据化学式可以判断有4个空隙填充了，之间的最短距离为晶胞面角线的一半。
【详解】A．由上述分析可知，填充在，所构成的四面体空隙中，故的配位数为4，故A错误；
B．上述晶胞含有4个，故1个晶胞的质量等于，1个晶胞的体积为，晶体的密度为，故B正确；
C．晶胞中，之间的最短距离为晶胞面角线的一半，即，故C错误；
D．由分析可知，填充了4个四面体空隙，故D错误。
答案选B。
9．D
【详解】A．根据“均摊法”， a晶胞中含有=8个Ge原子，A正确；
B．根据“均摊法”， X晶胞中含Hg的个数为，Ge的个数为，Sb的个数为8，则晶体的化学式为HgGeSb2，B正确；
C．根据图示，每个Hg原子与4个Sb原子相连，则与Hg距离最近的Sb的数目为4，C正确；
D．结合B分析可知，晶体密度为，D错误；
故选D。
10．D
【详解】A．金属晶体中存在金属阳离子和自由电子，不存在阴离子，A错误；
B．根据“均摊法”，晶胞中含个Fe，B错误；
C．由图可知，δ-Fe晶胞中Fe原子的配位数为8，α-Fe晶胞中铁原子的配位数为6，故二者晶胞中铁原子周围等距离且最近的铁原子个数之比为8∶6=4∶3，C错误；
D．根据“均摊法”， 晶胞中含个Fe，晶胞中含个Fe，则晶体密度比为，D正确；
故选D。
11．C
【详解】A．砷化镓和氮化镓晶体类型相同，均属于共价晶体，其熔点决定于键能，由于原子半径：，键能：，则砷化镓的熔点小于氮化镓的熔点，A项正确；
B．由晶胞结构可知，晶胞中与原子的核间距即为的键长，两个最近原子的核心距离为体对角线的，则最近距离为，B项正确；
C．在砷化镓晶胞中和原子直接相连，晶胞中不存在非极性共价键，C项错误；
D．由立方砷化镓晶胞图可知，该晶胞中含有的个数为，的数目为4，晶胞的质量，晶胞的体积，则晶胞的密度，D项正确；
故选C。
12．D
【详解】A．铁在周期表中位于第四周期第VIII族，不是第VIIIB族，故A错误；
B．在两种晶胞中，每个Fe原子周围与之距离相等且最近的Fe原子个数分别为8、12，故B错误；
C．若ɑ-Fe晶胞边长为bpm，ɑ-Fe晶胞是体心立方堆积，体对角线是4个半径，因此Fe原子半径r=bpm，故C错误；
D．若β-Fe晶胞中最近的两个Fe原子核间距为apm，β-Fe是面心立方最密堆积，面对角线是4个半径，即为2apm，则晶胞参数为apm，阿伏加德罗常数为NA，晶胞的密度表达式是，故D正确。
综上所述，答案为D。
13．D
【详解】A．碳单质中金刚石为共价晶体，石墨为混合晶体，C60为分子晶体，故A错误；
B．中子数10的O原子，其质量数为18，可表示为，故B错误；
C．基态Ca原子价电子排布式为4s2，价电子排布图为，故C错误；
D．是离子化合物，碳碳之间共用3对电子，其电子式为，故D正确。
综上所述，答案为D。
14．A
【详解】A．由硼镁化合物的晶体结构可知Mg位于正六棱柱的顶点和面心，由均摊法可以求出正六棱柱中含有个Mg，由晶胞沿c轴的投影图可知本题所给晶体结构包含三个晶胞，则晶胞中Mg的个数为1；晶体结构中B在正六棱柱体内共6个，则该物质的化学式为MgB2；A正确；
B．由A分析可知，晶胞中Mg的个数为1，B错误；
C．由晶胞沿c轴的投影图可知，B原子在图中两个正三角形的重心，该点到顶点的距离是该点到对边中点距离的2倍，顶点到对边的垂线长度为，因此B-B最近距离为，C错误；
D．根据该晶体结构可知，与距离最近且相等的有12个，D错误；
故选A。
15．C
【详解】A．Si为14号元素，电子排布式1s22s22p63s23p2，则Si位于周期表p区，A正确；
B．晶胞中n的坐标参数为，B正确；
C．晶胞中Si的位置与金刚石中碳原子位置一样，所以晶胞中位于顶点的Si原子，与之距离最近且相等的Si原子位于面心，共有12个，C错误；
D．Si原子与C原子之间最短距离是体对角线的，最短距离为apm，D正确；
故选C。
16．(1) N > H > B 3 纺锤
(2) 第5周期第VA族
(3) 不能 5643
(4) 4 5∶27∶32
【详解】（1）根据题中信息，与原子相连的呈正电性，故氮原子电负性大于氢原子，与原子相连的呈负电性，故氢原子的电负性大于硼原子，故电负性大小顺序为N > H > B；基态原子中能量最高的电子所在的原子轨道为2p轨道，共有三个伸展方向，原子轨道呈纺锤形；故答案为：N > H > B；3；纺锤。
（2）根据的价层电子排布式为在周期表中的周期为第五周期，价电子数共为5，所以是第VA族；失去了三个电子，价电子的电子排布排布式为，轨道表示式为；故答案为：第5周期第VA族；。
（3）原子的第一电离能指的是气态基态铜原子失去一个电子所需要的最低能量，图中给的是固态铜原子，无法计算原子的第一电离能；晶格能是指气态离子形成1ml离子晶体所释放的能量，根据图示，的晶格能为（3285-822+3180）=5643；故答案为：不能；5643.
（4）根据图像，GaAs晶胞中距离Ga原子最近As原子有四个；该晶胞中的锰原子的个数根据均摊法计算共有；镓原子的个数根据均摊法计算共有；砷原子共有内部4个；故晶体中的原子个数比为5∶27∶32；故答案为4；5∶27∶32。
17．(1) A CD
(2) 2 CH3As(OH)2 CH3As(OH)2与(CH3)2AsOH两种含砷有机酸均属于分子晶体，CH3As(OH)2含两个羟基，形成的氢键数目多，沸点高。
(3) 0.75
(4)3＞1＞2（或3，1，2）
【详解】（1）硼元素的原子序数为5，基态电子排布式为1s22s22p1，激发态原子中电子的能量高于基态原子中电子的能量，失去一个电子所需能量小于基态原子，C、D均为激发态，D失去一个电子需要能量最小，基态原子中第一电离能小于第二电离能，A失去一个电子需要克服第二电离能，B失去一个电子需要克服第一电离能，则失去一个电子需要吸收能量最大的是A；发射光谱是由能量较高的激发态电子跃迁回到能量较低的激发态或基态过程中产生的光谱，C、D均为激发态，则用光谱仪可捕捉到发射光谱的是C、D项；
（2）同周期元素从左到右第一电离能呈增大趋势，砷位于元素周期表的第四周期第ⅤA族，其基态原子核外价电子排布式为：4s24p3，砷原子p轨道为半充满的稳定状态，其第一电离能大于Se，因此同周期中第一电离能大于砷的元素只有Br和Kr两种；CH3As(OH)2与(CH3)2AsOH两种含砷有机酸均属于分子晶体，CH3As(OH)2含两个羟基，形成的氢键数目多，沸点高；
（3）把晶胞切割成多个边长为的小正方体，M位于一个顶点，所在的正方体在N所在正方体的正上方，所以M点原子分数坐标为；据均摊法晶胞计算法则可得：Li：，Zn：，Mn：，As：4，化简即可得LiZnmMnnAs中m=0.75，n=0.25；将晶胞切割成八个大小相等的正方体，如图 ，Mn原子在顶点，As原子在小正方体的体心，即晶胞结构体对角线的处，设棱长为a，一个晶胞中含有4个分子，所以，nm，则As原子与Mn原子之间的最短距离为nm；
（4）中Fe2＋提供空轨道，中O提供孤电子对，形成配位键，与之间形成氢键。、的中心原子均为sp3杂化，中O有两个孤电子对，中S无孤电子对，根据孤电子对间的斥力大于孤电子对与成键电子对之间的斥力大于成键电子对与成键电子对之间的斥力，得3＞1＞2。
18．(1) 第六周期VA族 哑铃形
(2)sp2、sp3
(3) (1，1，)
【详解】（1）铋的原子序数为83，核外电子排布式为：[Xe]4f145d106s26p3，核外共有6层电子，价电子数为5，故在元素周期表中的位置为：第六周期VA族；能量最高的电子在6p轨道，电子云轮廓图为哑铃形；
（2）BTC中醛基、羧基碳原子为双键碳原子，杂化类型为：sp2，其余碳原子为饱和碳原子，杂化类型为：sp3；
（3）①位于棱上的1号原子的坐标为，3号原子的坐标为，由此可知，晶胞的边长为1，则位于棱上的2号原子的坐标为(1，1，)；
②晶胞中含有K原子的个数为：8×+4=6，含有Bi原子个数为：2，=；
19．(1)N＞O＞C
(2)sp、sp2
(3) BCE CO2 [S =C=N]－ 元素的电负性S＜N，所以与金属离子形成配离子的配位原子是S原子
(4)CO和MnO都属于离子晶体，由于离子半径Mn2+＞C2+，所以晶格能CO＞MnO，熔点CO＞MnO
(5) 4、6
【详解】（1）C、N、O位于同一周期且左右相邻，非金属性依次增强，但N原子的2p轨道上的电子半充满，第一电离能反常，所以第一电离能由大到小的顺序是N＞O＞C。
（2）中间体M分子中，碳原子的价层电子对数分别为2、3，则杂化类型是sp、sp2。
（3）①一种Ni2+配离子的结构为，该配离子中存在的化学键类型有共价单键(σ键)、共价双键(1个σ键和1个π键)、中心Ni原子与4个N原子间形成配位键，不含有离子键，氢键不属于化学键，故选BCE。
②与SCN-互为等电子体的一种分子为CO2，SCN-与CO2为等电子体，结构相类似，则SCN-的结构式为[S =C=N]－。SCN-与金属离子形成的配合物中，配位原子通常是含有孤电子对且非金属性较弱的原子，由于N的非金属性大于S，所以一般是S而不是N，其原因是：元素的电负性S＜N，所以与金属离子形成配离子的配位原子是S原子。
（4）CO和MnO的晶体都是离子晶体，C、Mn同同期且Mn在C的左边，Mn的原子半径比C大，则CO熔点高于MnO的原因是：CO和MnO都属于离子晶体，由于离子半径Mn2+＞C2+，所以晶格能CO＞MnO，熔点CO＞MnO。
（5）①若原子坐标参数A为(0,0,0)；B为，C原子位于立方体底面的面心，则C原子的坐标参数为。
②若阿伏加德罗常数的值为NA，晶胞参数为anm，则晶体密度为=g∙cm-3。
③在KMnF3晶胞结构中，沿立方格子对角面取得的截图中，Mn与上、下两个面的面心上的F原子在同一竖线上，Mn处于各顶角位置，则F位于顶点间竖线的中点，所以F在晶胞中的位置为4、6。
【点睛】组成和结构相似的离子晶体中，通常离子间的距离越小，晶格能越大。