专题一0恒定电流课件2025高考物理复习专题

这是一份专题一0恒定电流课件2025高考物理复习专题，共60页。
前对应的字母)A.电压表V1(量程0~3 V,内阻约为15 kΩ)B.电压表V2(量程0~15 V,内阻约为75 kΩ)C.电流表A1(量程0~0.6 A,内阻约为1 Ω)D.电流表A2(量程0~3 A,内阻约为0.2 Ω)E.滑动变阻器R1(0~5 Ω,2 A)F.滑动变阻器R2(0~2 000 Ω,0.1 A)G.电源E(电动势为4 V,内阻不计)H.开关S,导线若干
(2)除待测圆柱体外,实验室还备有如下实验器材,实验过程要求电阻两端电压能够从 零开始调节,电压表应选    A    ,电流表应选    C    ,滑动变阻器应选    E    。(填写器材
(3)请用笔画线代替导线将图乙中所给的实物器材连线补充完整。 
3.(2021浙江6月,18,7分)小李在实验室测量一电阻Rx的阻值。 　　     
电流表的读数分别为U2=1.75 V,I2=0.33 A。由此可知应采用电流表    外    (填“内” 或“外”)接法。(2)完成上述实验后,小李进一步尝试用其他方法进行实验:①器材与连线如图3所示,请在虚线框中画出对应的电路图;②先将单刀双掷开关掷到左边,记录电流表读数,再将单刀双掷开关掷到右边,调节电 阻箱的阻值,使电流表的读数与前一次尽量相同,电阻箱的示数如图3所示,则待测电阻 Rx=    5    Ω。此方法,    有    (填“有”或“无”)明显的实验误差,其理由是    电阻箱的分度值与待测电阻比较接近(或其他合理解释)    。
(1)要求通过Rx的电流可在0~5 mA范围内连续可调,将图(a)所示的器材符号连线,画出 实验电路的原理图;(2)实验时,图(a)中的R应选最大阻值为    10 Ω    (填“10 Ω”或“1.5 kΩ”)的滑动变 阻器,R0应选阻值为    75 Ω    (填“75 Ω”或“150 Ω”)的定值电阻;(3)测量多组数据可得Rx的伏安特性曲线。若在某次测量中,电压表、电流表的示数分 别如图(b)和图(c)所示,则此时Rx两端的电压为    2.30    V,流过Rx的电流为    4.20    mA, 此组数据得到的Rx的阻值为    548    Ω(保留3位有效数字)。
(1)保持玻璃管内压强为1个标准大气压,电流表示数为100 mA,电压表量程为3 V,表盘
3.(2020海南,15,10分)在测量定值电阻阻值的实验中,提供的实验器材如下:电压表V1 (量程3 V,内阻r1=3.0 kΩ),电压表V2(量程5 V,内阻r2=5.0 kΩ),滑动变阻器R(额定电流1.5 A,最大阻值100 Ω),待测定值电阻Rx,电源E(电动势6.0 V,内阻不计),单刀开关S,导线若 干。回答下列问题:(1)实验中滑动变阻器应采用    分压    接法(填“限流”或“分压”);(2)将虚线框中的电路原理图补充完整;
 (3)根据表中的实验数据(U1、U2分别为电压表V1、V2的示数),在图(a)给出的坐标纸上 补齐数据点,并绘制U2-U1图像;
4.(2023海南,15,14分)用如图甲所示的电路测量一个量程为100 μA、内阻约为2 000 Ω 的微安表头的内阻,所用电源的电动势约为12 V,有两个电阻箱可选,R1(0~9 999.9 Ω),R2 (0~99 999.9 Ω) 
①将滑动变阻器滑片P移至最左端,将RN调至最大值;②闭合开关S2,调节RM,使微安表半偏,并读出RM的阻值;③断开S2,闭合S1,调节滑片P至某位置再调节RN使表头满偏;④断开S1、S2,拆除导线,整理好器材(4)如图丙是RM调节后的面板,则待测表头的内阻为    1 998.0 Ω    ,该测量值    小于     (填“大于”“小于”或“等于”)真实值。
(3)下列操作顺序合理排列是    ①③②④    ;
5.(2022山东,14,8分)某同学利用实验室现有器材,设计了一个测量电阻阻值的实验。 实验器材:干电池E(电动势1.5 V,内阻未知);电流表A1(量程10 mA,内阻为90 Ω);电流表A2(量程30 mA,内阻为30 Ω);定值电阻R0(阻值为150 Ω);滑动变阻器R(最大阻值为100 Ω);待测电阻Rx;开关S,导线若干。
(1)先用欧姆表“×100”挡粗测RF的阻值,示数如图(b)所示,对应的读数是    1 000    Ω;
(3)依次将0.5 g的标准砝码加载到压力传感器上(压力传感器上所受压力大小等于砝 码重力大小),读出电压传感器示数U,所测数据如表所示:
(4)完成前面三步的实验工作后,该测量微小压力的装置即可投入使用。在半导体薄膜 压力传感器上施加微小压力F0,电压传感器示数为200 mV,则F0大小是    0.018(0.017或0.018)    N(重力加速度取9.8 m/s2,保留2位有效数字);(5)若在步骤(4)中换用非理想毫伏表测量C、D间电压,在半导体薄膜压力传感器上施 加微小压力F1,此时非理想毫伏表读数为200 mV,则F1    >    F0(填“>”“=”或 “