人教版 (2019)选择性必修2第一节 物质的聚集状态与晶体的常识精品课后复习题

这是一份人教版 (2019)选择性必修2第一节 物质的聚集状态与晶体的常识精品课后复习题，共7页。试卷主要包含了硅烷SiH4可用于制造高纯硅，已知等内容，欢迎下载使用。

1．所列图形表示的晶体结构中，符合晶胞特点的是
A．B．
C．D．
2．锆是重要的战略金属，可从其氧化物中提取。下图是某种锆的氧化物晶体的立方晶胞，为阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是
A．该氧化物的化学式为ZrO2B．该氧化物的密度为123×1030NA×a3g·cm-3
C．Zr原子之间的最短距离为22apmD．每个O原子周围有6个紧邻的O原子
3．已知两种短周期元素X、Y的原子价层电子排布式分别为3s1、nsnnp2n。这两种元素组成的一种晶胞结构如图所示，晶胞参数a=0.566nm。下列叙述错误的是
A．该晶体的化学式为Na2OB．氧离子的配位数为4
C．该晶体为离子晶体D．该晶体的密度为2.27 g⋅cm-3
4．某种铁的氧化物的立方体结构如图所示，白球为O2-，其余代表铁的离子，NA表示阿伏加德罗常数的值。下列有关说法错误的是
A．Fe的离子均位于O2-构成的正八面体空隙中
B．该铁的氧化物的化学式为Fe3O4
C．设立方体的棱长为1，则点的坐标为(14,14,34)
D．若立方体棱长为dnm，则晶体密度计算式为232NA(d×10−7)3g⋅cm-3
5．下图是某富锂超离子导体的立方体晶胞，阿伏加德罗常数的值为 NA。下列说法错误的是
A．晶体的化学式为Li3OCl
B．图中氧原子的配位数为6
C．图中Cl-O原子的最近距离与Li-O原子的最近距离相等
D．图中晶体密度为72.5NA×a3×10−30g/cm3
6．一种广谱性熏蒸杀虫剂，其晶体熔点约2000℃，晶胞结构如图所示。已知该晶体的密度为表示阿伏加德罗常数的值。下列有关该晶体的说法错误的是
A．化学式为AIP
B．晶体类型为共价晶体
C．晶胞中AI原子的配位数为8
D．两个P原子间的最近核间距为22×358NA×4ρ×1010pm
7．硅烷SiH4可用于制造高纯硅。采用硅化镁法制备SiH4的化学方程式如下：
(1)硅在元素周期表中的位置是 ，基态硅原子占据的最高能级的符号是 。
(2)O、N、H的电负性由大到小的顺序是 。
(3)下列状态的氮中，电离最外层一个电子所需能量最小的是 (填序号)。
a． b． c．
(4)①的沸点比的 (填“高”或“低”)，原因是 。
②中H—Si—H的键角 中H—N—H的键角(填“>”“