湖北省部分市州2024年春季高二年级下学期期末教学质量监测 化学试卷(无答案)

这是一份湖北省部分市州2024年春季高二年级下学期期末教学质量监测 化学试卷(无答案)，共12页。试卷主要包含了选择题的作答，福白菊是十大楚药之一等内容，欢迎下载使用。

湖北省部分市州2024 年春季高二年级期末教学质量监测
化学
本试卷共 8 页，19 题。全卷满分 100 分。考试用时 75 分钟。
*祝考试顺利*
注意事项：
1 ．答题前，先将自己的姓名、准考证号、考场号、座位号填写在试卷和答题卡上，并将
准考证号条形码粘贴在答题卡上的指定位置。
2．选择题的作答：每小题选出答案后，用 2B 铅笔把答题卡上对应题目的答案标号涂黑。
写在试卷、草稿纸和答题卡上的非答题区域均无效。
3 ．非选择题的作答：用黑色签字笔直接答在答题卡上对应的答题区域内。写在试卷、草
稿纸和答题卡上的非答题区域均无效。
4 ．考试结束后，请将答题卡上交。
可能用到的相对原子质量：H－1 C－12 N－14 O－16
一、选择题：每小题仅有一个选项符合题意，每小题 3 分，共 15 小题，共 45 分。
1 ．某学校食堂午餐食谱有：米饭、红烧肉、鱼头豆腐汤。从健康饮食角度，你认为还需要补充的食物是
A ．鸡蛋 B ．鸡腿 C ．土豆 D ． 白菜
2 ．化学使生活更美好，下列项目不属于化学科学研究方向的是
A ．开发新一代物联操作系统 B ．研发医用高分子材料
C ．研发碳基芯片和分子机器人 D ．在分子层面上预防和治疗疾病
3 ．下列对我国重大成就从化学视角解读正确的是
4 ．以 50％乙醇为溶剂，采用重结晶法提纯 2-硝基-1 ，3-苯二酚，该实验不需要使用的仪器是
A ．A B ．B C ．C D ．D
5 ．化学用语可以表达化学过程，下列化学用语表达错误的是
选项
重大成就
解读
A
我国率先合成全碳纳米材料——石墨炔
石墨炔为不饱和烃
B
“天和核心舱”电推进系统中采用了 BN 陶瓷
BN 陶瓷是一种含配位键的分子晶体
C
“ 祝 融 号 ” 探 测 到 火 星 表 面 存 在 大 量 橄 榄 石 （Mg xFe2-x SiO4 ）
橄榄石中的硅氧四面体是石英的基本结构单 元
D
我国科学家利用柱[5]芳烃（EtP5）和四硫富瓦 烯（TTF）构建了稳定的超分子聚合物（SMP）
形成该超分子聚合物的作用力只含有极性键 和非极性键
A
B
C
D
A ．用电子式表示 HF 的形成：
B ．向 AgCl 悬浊液中加入浓氨水，溶液变澄清： AgCl + 2NH3 = [Ag(NH3 )2 ]+ + Cl一
C ．由三聚氰胺与甲醛合成线型高分子：
D ．用电子云轮廓图示意 s-s σ键的形成：
6 ．化学兴趣小组在某高校完成“从茶叶中提取咖啡因并测定其结构”的实验，需用到的部分仪器有：①索氏 提取器（一种用于连续萃取的仪器）； ②元素分析仪；③红外光谱仪；④核磁共振仪；⑤质谱仪。根据研究 有机物的一般方法和步骤，仪器使用的顺序为
A . ②①⑤③④ B . ①②⑤③④ C . ①②③④⑤ D . ①③④②⑤
7 ．短周期主族元素 W 、X 、Y 、Z 原子序数依次增大，Y 、Z 的价电子数相等，4 种元素形成的化合物如图。 下列说法错误的是
A ．热稳定性： W2Y > W2 Z B ．基态原子的未成对电子数：X＞Y
C ．简单离子半径：Z＞Y D ．第一电离能：X＜Y
8．福白菊是十大楚药之一。经检测，福白菊精油中含有丰富的白檀油萜醇、姜黄烯等成分，结构简式如下。 下列说法正确的是
A ． 甲、乙均存在顺反异构现象
B ． 甲可以发生加成、消去、取代、氧化和置换反应
C ．乙分子中最多有 14 个碳原子在同一平面内
D ．1ml 乙中，π键数目约为 4× 6.02× 1023 个
9 ．下列能达到实验目的的是
10 ．根据物质结构知识，下列说法错误的是
A ．分子极性： H2 O > OF2
B ． pKa ：氟磺酸（ F - SO3H ）＞苯磺酸 ( )
C ．键角： SO3 > SO2
D ．沸点：对羟基苯甲酸＞邻羟基苯甲酸
11 ．类比是学习化学的重要方法。已知： 晶体结构中某质点周围与该质点直接联系的质点数，称为该质点 的配位数。下列类比结果正确是
A ．NaCl 晶体中 Na + 的配位数为 6 ，则 CsCl 晶体中Cs+ 的配位数为 6
B ．冰中水分子的配位数为 4 ，则干冰晶体中二氧化碳分子的配位数为 4
C .
则
制乙炔并验证其性质
制乙烯并验证其性质
证明苯与溴发生取代反应
比较乙酸、碳酸和苯酚的 酸性强弱
A
B
C
D
D .
的名称为 N ，N-二甲基甲酰胺，则
的名称为 N-甲基苯甲酰
胺
12 ．下列事实中，与分子极性无关的是
A ． CO2 在水中的溶解度比 CS2 在水中的溶解度大
B ． N2 的熔沸点小于 CO 的熔沸点
C ．向硫酸铜与浓氨水的澄清混合液中加入 95％乙醇，析出深蓝色晶体
D ．制取乙酸乙酯时，饱和 Na2 CO3 溶液的上层析出油状液体
13 ．物质的结构决定性质。下列结构因素描述错误的是
选项
性质差异
结构因素
A
乙炔可与 HCN 发生加成反应，而乙烯难以发生加成反应
碳原子杂化方式差异
14 ．化学图示能简洁地传递许多信息。下列图示表示正确的是
15 ．下列合成路线设计或逆合成分析存在错误的是
A ．用乙烯合成 1 ，4-二氧六环：
B ．用二甲基二氯硅烷合成硅橡胶：
C ．以乙烯为原料合成聚乳酸的一种逆合成分析：
D ．对甲苯胺合成对氨基苯甲酸（已知：苯胺易被氧化）：
B
2-丁烯存在顺反异构现象，丁烷不存在顺反异构现象
π键不能绕键轴旋转
C
SiCl4 易水解，而 CCl4 难以水解
Si－Cl 键能大于 C－Cl 键能
D
实验合成的酒石酸盐无光学活性（使偏振光的偏振面旋 转），发酵得到的酒石酸盐有光学活性
酒石酸盐存在一组对映异构体， 而生物机体只生产其中一种特定 取向的分子
O3 分子中正电中心和负 电中心分布
细胞和细胞器的双分子 膜
中心离子为 sp3 杂化的 Zn (NH3 )4 7」2+
非晶态和晶态 SiO2 粉末 X 射线衍射图谱的对比
A
B
C
D
二、非选择题：共 4 小题，共 55 分。
16 ．（12 分）含苯酚的工业废水处理流程如图所示。
回答下列问题：
（1）设备 Ⅰ进行分离的操作是 。由设备Ⅲ进入设备Ⅳ的物质是 （填溶质化学式）。
（2）为检测废水中是否含有苯酚，其实验方法是 。
（3）设备Ⅱ中反应的离子方程式为 。
（4）设备Ⅳ 、设备Ⅴ的作用是 。
（5）含乙酸钠和对氯苯酚的废水，可以利用微生物电池预处理后，再导入上述流程中进行二次处理，以达 到排放标准。其原理如图所示：
写出正极区发生的电极反应式： 。
17 ．（14 分）氟他胺是一种抗肿瘤药，实验室由芳香烃 A 制备氟他胺的合成路线如下所示：
已知： Ⅰ. 卤代烃可与镁反应生成格氏试剂，如R1X —MT→ R1MgX Ⅱ. 醛或酮可与格氏试剂 R1MgX 反应，所得产物经水解可得醇，如
Ⅲ. 羧酸与 PCl3 作用可生成酰氯，如
（1）反应①的反应条件是 ，反应②用到的试剂是 。
（2）反应①②③④中，不属于取代反应的有 。
（3）K 是 H 的一种同分异构体，K 分子存在对映异构现象，K 的结构简式为 。
（4）E + I → J 反应中需要加入少量吡啶（），写出吡啶中氮原子杂化后的价层电子轨道表示式 。
请结合平衡移动原理，推测吡啶的作用 。
（5）请在 F→H 流程图的虚线框内填写物质的结构简式。
18 ．（14 分）化学小组探究卤代烷在不同条件下发生的反应，设计了如下实验。
回答下列问题：
（1）补全试剂：实验 Ⅰ , 实验Ⅱ 。
（2）实验 Ⅰ 的目的是验证溴乙烷发生了水解反应。该小组顺利完成了实验，并成功观测到预期现象。但对 实验结论， 甲、乙两位同学有着不同的看法。
甲同学提出：仅凭试管中有浅黄色沉淀生成，并不能说明溴乙烷发生了水解反应，他的依据是 。
经分析后，乙同学认为：再结合某一现象，可以确认发生了水解反应，该现象是 。
（3）实验Ⅱ的目的是验证溴乙烷发生了消去反应，但实验中并未出现预期现象。查阅资料得知，溴乙烷沸
点为 38.4℃ , 丙同学据此分析可能原因是 。丁同学针对该原因，在不改变试剂和反应温度的前提
下，提出了改进方案，并观测到预期现象。该改进方案是 。
（4）卤代烃的取代反应和消去反应是竞争反应，其中有利于卤代烃消去反应发生的外部条件，除了较强的
碱性外，还要求 （填“强极性”或“弱极性”）试剂。
（5）研究表明，除了外部条件，卤代烷的自身结构特点也决定了反应的趋向。伯卤代烷（ R - CH2 - X ）
编号
实验操作
预期现象
实验 Ⅰ
①取一支试管，滴入 15 滴溴乙烷，再加入 1 mL 5％的 NaOH 溶液，振荡后加热，静置。
溶液分层；无气体生成。
②小心吸取上层水溶液，移入另一支盛有 的
试管中，再加入 2 滴 AgNO3 溶液。
试管中有浅黄色沉淀生成。
实验Ⅱ
①向圆底烧瓶中加入 2.0 g NaOH 和 15 mL 无水乙醇， 搅拌，再加入 5 mL 溴乙烷和几片碎瓷片，酒精灯加热。
溶液不分层；有气体生成。
②将产生的气体通过盛有 的试管 A 后，再通
入盛有酸性 KMnO4 溶液的 B 试管。
B 试管中紫红色褪去。
优先发生取代反应，叔卤代烷（）优先发生消去反应（消去时遵从扎伊采夫规则：当有不同的消
去趋向时，主要生成物会是碳碳双键上取代基较多的烯烃）。
结合上述信息，试分析预测：在中等温度下，NaOH—醇—水混合体系中，对发生反应的最主
要有机产物的结构简式为 。
19 ．（15 分）芯片制造是人类工业文明的集大成，共有六个最为关键的步骤：沉积、光刻胶涂覆、光刻、刻 蚀、离子注入和封装。
（1）“沉积”是将导体、绝缘体或半导体材料薄膜沉积到纯硅晶圆上。GaN 、GaAs 是制造芯片的新型半导体 材料。
①GaN 、GaAs 的结构类似于金刚石，预测其熔点 GaN GaAs（填“＞”或“<ℽ)。
②GaAs 被誉为“半导体贵族” ，其晶胞结构如图所示，晶胞参数为 a pm 。2 号原子的分数坐标为 ；
1 号原子和 2 号原子之间的距离为 pm。
（2）“光刻胶涂覆”时，用到的某光刻胶由降冰片烯 (
) 和马来酸酐 (
) 按物质的量 1 ∶ 1
加聚反应而成，该光刻胶的结构简式为 。
（3）“光刻”是使用深紫外光来照射涂有光刻胶的基片表面，通过曝光和显影过程，将掩膜上的图形复制到 光刻胶上。
①紫外负型光刻胶常含有— N3 ，曝光时会形成 N3— ， N3— 的 VSEPR 模型为 。
②光刻技术需要利用深紫外激光，我国是唯一掌握通过非线性光学晶体变频来获得深紫外激光技术的国家。 目前唯一实用化的晶体是氟代硼铍酸钾晶体 KBBF（ KBe2BO3F2 ），晶胞如图所示，其中钾原子已经给出，
氧原子略去。已知晶胞参数分别为 a nm 和 c nm ， α = β= Y = 90 ，图中代表氟原子的字母为 。
已知晶体的密度为 pg . cm—3 ，KBBF 的摩尔质量为Mg . ml—1 ，则阿伏伽德罗常数的值为 （用含
上述字母的代数式表示）。
（4）“刻蚀”可能用到刻蚀剂氟硼酸铵（ NH4 BF4 ），1 ml NH4 BF4 中含有的配位键数目为 （设 NA
为阿伏伽德罗常数的值）。
（5）“离子注入”是在 Si 晶体中掺杂不同种类的元素（常见的有 B 、P 、Ga 、As 等），形成多电子的 n 型和 缺电子的 p 型半导体（如下图所示）。
则上图中 M 、N 原子分别可以选择 （填序号）
a ．B 、Ga b ．P 、As c ．P 、B d ．Ga 、As
（6）“封装”时，为了散热，常用金属外壳，用电子气理论解释金属导热性好的原因 。