鲁科版高中化学选择性必修2第3章不同聚集状态的物质与性质章末复习课课件

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章 末 复 习 课知识整合体系构建综合提升高考体验目 录 索 引 知识整合体系构建综合提升高考体验☞考点一　晶体类型及熔、沸点的比较例1 (2023全国乙卷节选)已知一些物质的熔点数据如下表:Na与Si均为第3周期元素。NaCl熔点明显高于SiCl4,原因是　　　　　　　　　　　　　　　。分析同族元素的氯化物SiCl4、GeCl4、SnCl4熔点变化趋势及其原因:　　　　　　　　　　　　　　　。SiCl4、GeCl4、SnCl4熔点逐渐升高。同是分子晶体,范德华力随相对分子质量增加而增大  NaCl为离子晶体,SiCl4为分子晶体解析 离子晶体与分子晶体的熔点高低影响因素不同,离子晶体熔化时需破坏的是离子键,而分子晶体熔化时破坏的是分子间作用力,因此氯化钠的熔点更高。SiCl4、GeCl4、SnCl4三者晶体类型相同,影响其熔点高低的因素为范德华力,范德华力随分子的相对分子质量的增加而增大,晶体熔点也随着范德华力的增大而升高。例2 (2023全国甲卷节选)AlF3的熔点为1 090 ℃,远高于AlCl3的192 ℃,由此可以判断铝氟之间的化学键为　　　　　键。 离子解析 AlF3的熔点为1 090 ℃,远高于AlCl3的192 ℃,由于F的电负性最大,其吸引电子的能力最强,因此,可以判断铝氟之间的化学键为离子键。☞考点二　晶体结构的分析与计算例3 (2023湖北卷)镧La和H可以形成一系列晶体材料LaHn,在储氢和超导等领域具有重要应用。LaHn属于立方晶系,晶胞结构和参数如图所示。高压下,LaH2中的每个H结合4个H形成类似CH4的结构,即得到晶体LaHx。下列说法错误的是(　　)A.LaH2晶体中La的配位数为8B.晶体中H和H的最短距离:LaH2>LaHxC.在LaHx晶胞中,H形成一个顶点数为40的闭合多面体笼D.LaHx单位体积中含氢质量的计算式为C解析 由LaH2的晶胞结构可知,La位于顶点和面心,晶胞内8个小立方体的中心各有1个H原子,若以顶点La研究,与之最近的H原子有8个,则La的配位数为8,故A正确;由LaHx晶胞结构可知,每个H结合4个H形成类似CH4的结构,H和H之间的最短距离变小,则晶体中H和H的最短距离:LaH2>LaHx,故B正确;由题干信息可知,在LaHx晶胞中,每个H结合4个H形成类似CH4的结构,这样的结构有8个,顶点数为4×8=32,且不是闭合的结构,故C错误;1个LaHx例4 (2023湖南卷)科学家合成了一种高温超导材料,其晶胞结构如图所示,该立方晶胞参数为a pm,阿伏加德罗常数的值为NA。下列说法错误的是(　　)A.晶体最简化学式为KCaB6C6B.晶体中与K+最近且距离相等的Ca2+有8个C.晶胞中B和C原子构成的多面体有12个面C解析 根据“切割法”,Ca2+位于晶胞体心,有1×1=1个,K+位于晶胞的8个顶点,有8× =1个,C、B均位于晶胞的面上,每个面上有2个C、2个B,故C、B原子个数均为12× =6个,该晶体最简化学式为KCaB6C6,A项正确;K+位于立方晶胞的顶点,与之距离最近的Ca2+位于晶胞的体心,共有8个,B项正确;晶胞中由2个B和2个C构成的四边形位于面上,共有6个,由3个B和3个C构成的六边形共有8个,共14个面,C项错误;晶体摩尔质量为(39+40+6×11+6×12) g·mol-1=217 g·mol-1,晶胞体积为(a×10-10)3 cm3= a3×10-30 cm3,故晶体密度为 g·cm-3,D项正确。例5 (2023辽宁卷)晶体结构的缺陷美与对称美同样受关注。某富锂超离子导体的晶胞是立方体(图1),进行镁离子取代及卤素共掺杂后,可获得高性能固体电解质材料(图2)。下列说法错误的是(　　)B.图1中O原子的配位数为6C.图2表示的化学式为LiMg2OClxBr1-xD.Mg2+取代产生的空位有利于Li+传导C解析 根据“切割法”原理,图1晶胞中Li、Cl、O原子个数分别为3、1、1,即化学式为Li3OCl,则晶体密度为ρ= g·cm-3,A项正确;从图1看,O原子与6个Li形成正八面体结构,B项正确;图2晶胞中Li的个数为1,O的个数为1,Cl和Br的个数之和也为1,结合化合价代数和为0,则该晶体的化学式为LiMgOClxBr1-x,C项错误;Mg2+取代及卤素共掺杂后获得高性能固体电解质材料,则是由于空穴的存在,有利于Li+传导,D项正确。