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【查漏补缺】2025年高考化学复习冲刺过关(新高考专用)07原子、分子、晶体结构再归纳含解析
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这是一份【查漏补缺】2025年高考化学复习冲刺过关(新高考专用)07原子、分子、晶体结构再归纳含解析,共32页。试卷主要包含了单选题,填空题等内容,欢迎下载使用。
一、单选题
1.我国“奋斗者”号载人潜水器在马里亚纳海沟成功坐底,坐底深度为10909米。“奋斗者”号载人舱球壳的材料是一种由Ti、Al、Sn和Si等组成的合金,其中Si和Sn两种元素在元素周期表中位于同一纵列,下列有关说法错误的是
A.基态Sn原子的价电子排布式为
B.基态Si原子和基态Ti原子的价电子数不相等
C.基态Ti原子核外有7种能量不同的电子
D.基态Al原子核外有13种运动状态不同的能级
2.有关晶体的结构如图所示,下列说法中错误的是
A.CaO2晶体中,Ca2+的配位数为6
B.氧化镁晶体中,与Mg2+距离最近且等距的Mg2+有8个
C.碘晶体中,存在非极性共价键和范德华力
D.金刚石晶体中,碳碳键的键角为109°28′
3.下列有关晶体的叙述正确的是
A.共价晶体中的各相邻原子都以共价键结合
B.在晶体中,若有阳离子一定存在阴离子
C.分子晶体中一定不含离子键,但一定存在共价键
D.离子晶体中每个离子周围均吸引着6个带相反电荷的离子
4.科研工作者合成了低温超导化合物M,再利用低温去插层法,获得了一个新化合物N。二者的晶体结构如图所示,下列说法正确的是
A.去插层过程中Cs元素均转化为Cs单质B.N的化学式为
C.M中与Cs原子最临近的Se原子有2个D.N中V原子填充了Se原子构成的正八面体空隙
5.铜的一种氯化物立方晶胞如图所示。已知:晶体密度为,为阿伏加德罗常数的值,A、B的原子坐标分别为、。下列有关叙述正确的是
A.该化合物的化学式为
B.的原子坐标为
C.该晶胞中铜的配位数为8
D.A和B粒子之间的距离为
6.铁与硫能形成多种化合物,某种化合物的晶胞结构如图所示,其晶胞边长为a nm,为阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是
A.该晶体的化学式为
B.若A的坐标参数为,则坐标参数为的原子为Fe
C.与Fe原子距离最近且相等的Fe原子和S原子数目之比为2∶1
D.该晶体的密度为
7.某新型贮氢材料的立方晶胞结构如图所示。以晶胞参数为单位长度建立的坐标系可以表示晶胞中各原子的位置,称为原子的分数坐标,如点原子的分数坐标分别为、、。下列说法错误的是
A.该晶体属于离子晶体
B.C点坐标为
C.表示阿伏加德罗常数的值,则该物质的密度为
D.与点距离最近的的个数为8
8.氟化钾镁是一种具有优良光学性能的材料,主要应用于激光领域,其立方晶胞结构如图。表示阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是
A.的配位数为12
B.每个位于距其最近且等距的构成的正四面体空隙中
C.若位于晶胞的体心,则位于晶胞的面心
D.若晶胞参数为a nm,则晶体的密度是
9.中国科学院物理研究所合成了基于铁基超导体系掺杂调控的新型稀磁半导体(图乙),该材料是晶体(如图甲所示立方晶胞)中部分Zn原子被Mn原子代替后制成的。已知b点原子的分数坐标为34,34,34,图甲晶体的晶胞参数为,设阿伏加德罗常数的值为。下列说法正确的是
A.a点As原子的分数坐标为
B.图甲晶胞中与As原子等距离且最近的Zn原子有8个
C.图甲晶体的密度是
D.图乙晶胞中Zn原子和Mn原子个数之比为1:3
10.下列有关化学用语或图示表达正确的是
A.HCl分子中σ键的形成为
B.HClO的电子式为
C.三氧化硫的VSEPR模型:
D.基态铜原子的价层电子轨道表示式为
11.下列化学用语或图示表达正确的是
A.CO2的电子式为:B.基态锗原子的简化电子排布式:
C.的空间结构为D.铝原子最高能级的电子云轮廓图:
12.下列化学用语或图示表达不正确的是
A.基态原子的价层电子的轨道表示式:
B.的空间构型为V形
C.氧离子的结构示意图为
D.顺-2-丁烯的分子结构模型:
13.短周期主族元素X、Y、Z、W、Q原子序数依次增大,其中Q是元素周期表中电负性最大的元素,由这五种元素组成的某药物结构如图所示。下列有关说法正确的是
A.电负性:
B.第一电离能:
C.该分子中所有原子都满足8电子稳定结构
D.基态Z原子电子轨道表示式为:
14.离子液体是指在室温或接近室温下呈现液态的,完全由阴、阳离子所组成的化合物。某离子液体的结构如图所示。下列说法错误的是
A.分子的键角:CH4>NH3B.分子的极性:PH3>NH3
C.第一电离能:F>N>PD.离子的半径:r(P3-)>r(N3-)>r(F-)
15.常温下,二氧化氯(ClO2)是一种黄绿色气体,具有强氧化性,已被联合国卫生组织(WTO)列为Al级高效安全消毒剂。已知,工业上制备二氧化氯的方法之一是用甲醇在酸性条件下与氯酸钠反应,其反应的化学方程式:CH3OH+6NaClO3+3H2SO4=CO2↑+6ClO2↑+3Na2SO4+5H2O,则下列说法正确的是
A.CO2是非极性分子
B.键角:ClONaCl>NaBrB.硬度:MgO>CaO>BaO
C.熔点:NaF>MgF2>AlF3D.1个阴离子周围等距离且最近的阳离子数为CsCl>NaCl
24.因生产金属铁的工艺和温度等因素不同,产生的铁单质的晶体结构也不同。两种铁晶胞(均为立方体,边长分别为以anm和1.22anm)的结构示意图如下。
下列说法不正确的是
A.用X射线衍射可测定铁晶体的结构
B.图2代表的铁单质中,一个铁原子周围最多有4个紧邻的铁原子
C.图1与图2代表的铁单质中,原子之间以金属键相互结合
D.图1与图2代表的铁单质的密度不同
25.氮化硼晶体有多种结构,六方相氮化硼结构与石墨相似,但不具有导电性,立方相氮化硼结构与金刚石相似。下列说法错误的是
A.六方相氮化硼层上键电子不能自由移动
B.六方相氮化硼熔点高于立方相氮化硼
C.立方相氮化硼中存在“N→B”的配位键
D.(六方相氮化硼)中含键
26.我国科学家合成了一种具有巨磁电阻效应的特殊导电性物质,其立方晶胞结构如图所示。已知晶胞参数为,表示阿伏加德罗常数的值,下列说法正确的是
A.该晶体密度为
B.基态Cr的价层电子排布式为
C.晶体中Ca原子周围等距离且最近的O原子数为8
D.若用放射性的替换图中的,对其化学性质影响较大
27.一定条件下,K、CuCl2和F2反应生成KCl和化合物X,化合物 X 的晶胞结构如图所示(晶胞参数a≠c,α=β=γ=90°), 其中灰球代表 Cu、黑球代表 K、白球代表F。若阿伏加德罗常数的值为NA。下列说法错误的是
A.上述反应中 CuCl2与F2的物质的量之比为1:2
B.基态F原子核外电子有5 种空间运动状态
C.Cu原子填充在由 F原子构成的八面体空隙中
D.化合物X的密度
28.下列有关物质结构的说法正确的是
A.图①中18-冠-6通过离子键与K+作用,体现了超分子“分子识别”的特征
B.图②物质相较NaBF4摩尔质量更大,具有更高的熔沸点
C.图③晶体磷化硼晶胞沿轴方向上的投影图为
D.图③晶胞参数为,则晶体的密度为g/cm3
29.二氟化氙是一种选择性良好的氟化试剂,在室温下易升华,它的晶体属四方晶系,晶胞棱边夹角均为,晶胞参数如图所示,其中原子的坐标为,下列说法不正确的是
A.Xe位于元素周期表p区B.位于晶胞的顶点和中心
C.晶胞中A、B间距离D.该晶体属于分子晶体
30.短周期主族元素W、X、Y、Z、Q的原子序数依次增大,且占据三个不同的周期。X的一种简单氢化物常用作制冷剂,Y在地壳中的含量最高,Z的基态原子价层电子排布式为ns1,Q的基态原子轨道中有2个未成对电子。下列说法正确的是
A.原子半径:Q>Z>Y
B.第一电离能:Y>X>W
C.Q的最高价氧化物对应的水化物可能是强酸
D.XW3、的空间结构名称均为三角锥形
31.下列有关物质结构的说法正确的是
A.和中N原子VSEPR模型均为平面三角形
B.中C原子和N原子的杂化方式相同
C.基态Cr原子与基态Fe原子的未成对电子数相同
D.Se的轨道表示式若写作不符合洪特规则
32.水热法制备纳米颗粒Y的反应为(a为计量数)
下列说法正确的是
A.Y的化学式为:B.的电子式为:
C.的VSEPR模型为:D.Fe的原子结构示意图为:
33.乙醇水蒸气催化重整是一种清洁且可持续的制氢方法,Ni—C—Cu水滑石复合催化剂具有较好的催化活性,反应过程如图所示。(乙醇可用键线式表示为)下列叙述错误的是
A.和CH4的VSEPR模型均为四面体形
B.过程③中存在极性键和非极性键的断裂
C.金属Cu、C、Ni能导电是因为在外加电场作用下产生自由电子
D.、均易溶于水的原因之一是可与分子形成氢键
34.物质结构决定物质性质。下列性质差异与结构因素匹配错误的是
A.AB.BC.CD.D
35.三硫化四磷用于制造火柴及火柴盒摩擦面,分子结构如图所示。下列有关三硫化四磷说法中正确的是
A.该物质中磷元素的化合价为+3B.该物质分子中含有σ键和π键
C.该物质的熔沸点比食盐高D.11g该物质含硫原子的数目约为
二、填空题
36.第ⅣA族元素及其化合物在生产、生活中应用广泛。回答下列问题:
(1)基态锗原子的价层电子轨道表示式为 ,第ⅣA族元素位于 区。
(2)的电负性比大,其主要原因是 。、的稳定性依次减弱,其主要原因是 。
(3)的VSEPR模型名称为 。
(4)碳化硅()熔点为2700°C,常作砂轮磨料,用于切割金属。由此推知,碳化硅晶体类型为 。
(5)铁和碳能形成如图所示的晶胞。它可以看成是铁晶胞中插入若干个碳原子,晶胞体积不变。铁碳晶体的化学式为 ,铁晶体转化为铁碳晶体时晶体密度净增 %(结果保留3位有效数字)。
37.钙钛矿()型化合物是一类可用于生产太阳能电池、传感器、固体电阻器等的功能材料。回答下列问题:
Ⅰ.为制备的一种原料。
(1)Ti的四卤化物熔点如下表所示,熔点高于其他三种卤化物,自至熔点依次升高,原因是 。
Ⅱ.一类有机一无机杂化材料具有与相同的晶体结构。
(2)①有机阳离子中C原子和N原子的电负性大小比较:C N(填“”、“”或“”),从原子结构的角度说明理由 。
②若将晶胞中的A坐标定义为,B坐标定义为1,1,1,则离A最近的微粒的坐标为 (任写其一)。若将晶胞中心微粒的坐标定义为,则与其紧邻的的坐标为 (任写其一)。
③键角大小比较: (填“”、“”或“”),原因是 。
(3)晶体生长过程中容易产生晶体缺陷,造成空位。用替换可改善这种情况的可能原因是 。
元素编号
E
F
G
H
I
J
K
L
原子半径/nm
0.037
0.074
0.082
0.099
0.102
0.143
0.160
0.186
最高化合价或最低化合价
选项
性质差异
结构因素
A
沸点:乙醇(78.3℃)高于二甲醚(-29.5℃)
氢键作用
B
熔点:AlF3(1040℃)远高于AlCl3(178℃升华)
晶体类型
C
键角:PF3(94°)小于PCl3(109.5°)
电负性差异
D
分解温度:HBr(500℃)高于HI(300℃)
范德华力作用
化合物
熔点
377
155
参考答案:
1.B
【详解】A.Sn处于第IVA族,基态Sn原子的价电子排布式为,故A正确;
B.Si处于第IVA族,其价电子排布式为3s23p2,价电子数为4,基态Ti原子价电子排布式为3d24s2,价电子数为4,故B错误;
C.基态Ti原子的核外电子排布式是1s22s22p63s23p63d24s2,其中能量不同的电子,1s、2s、3s、4s各有1种,2p、3p 各有1种,3d有1种,共7种,故C正确;
D.基态Al原子核外有13个电子,则其有13种运动状态不同的电子,故D正确;
故选B。
2.B
【详解】A.由图可知,Ca2+位于顶点和面心,过氧根位于棱心和体心,距Ca2+等距且最近的过氧根位于上下前后左右,共有6个,即CaO2晶胞中,Ca2+的配位数为6,A正确;
B.氧化镁晶体中,距顶点的Mg2+最近且等距的Mg2+位于面心,个数为12,B错误;
C.在碘晶体中,I2分子间存在范德华力,I2分子内存在碘碘非极性共价键,C正确;
D.在金刚石晶体中,每个C原子采取sp3杂化轨道与相邻的4个碳原子结合,碳碳键夹角为109°28′,D正确;
故选B。
3.A
【详解】A.共价晶体中原子间作用力为共价键,A正确;
B.金属晶体中含有金属阳离子和自由电子,无阴离子,B错误;
C.稀有气体分子,不存在任何化学键,所以分子晶体中一定不含有离子键,不一定存在共价键,C错误;
D.离子晶体中每个离子周围不一定吸引着6个带相反电荷的离子,如氯化铯晶体中每个铯离子周围吸引着8个氯离子,每个氯离子周围吸引着8个铯离子,D错误;
故选A。
4.B
【详解】A.去插层过程中Cs元素均转化为CsI,故A错误;
B.根据均摊原则,晶胞中含有V原子数 、Se原子数、O原子数,N的化学式为,故B正确;
C.根据图示,M中与Cs原子最临近的Se原子有8个,故C错误;
D.N中V原子位于Se原子围成的正方形中心,故D错误;
选B。
5.B
【详解】A.根据均摊法计算:氯位于顶点和面心,1个晶胞含个氯,铜位于体内,1个晶胞含4个铜,故其化学式为,A项错误;
B.由A、B原子坐标和晶胞图示可知,原子位于体对角线,坐标为,B项正确;
C.1个铜与4个氯连接,配位数为4,C项错误;
D.设晶胞参数为,1个晶胞含4个,则,,体对角线长为,故A和B粒子之间的距离,D项错误;
答案选B。
6.C
【详解】A.根据均摊原子,晶胞中Fe原子数为 、S原子数为,所以该晶体的化学式为,故A正确;
B.若A的坐标参数为,则A为晶胞的一个顶点,此时晶胞的体心为Fe原子,其坐标参数为,故B正确;
C.晶胞中与Fe原子距离最近且相等的Fe原子数为12,与Fe原子距离最近且相等的S原子数也为12,故C错误;
D.该晶体的密度,故D正确;
选C。
7.B
【详解】A.该晶体由Na+和构成,属于离子晶体,A项正确;
B.点坐标为,B项错误;
C.利用均摊法,可计算出晶胞中Na+个数,个数,可得化学式,结合晶胞密度的计算公式,可得该物质的密度为,C项正确;
D.与点距离最近的的个数为8,D项正确。
故选B。
8.B
【详解】A.由图可知,与等距且最近的F-位于棱心,共12个,即的配位数为12,故A正确;
B.每个位于距其最近且等距的构成的正八面体体心中,故B错误;
C.若位于晶胞的体心,则K+位于晶胞的顶点处,位于面心,故C正确;
D.由均摊法可知,1个晶胞中含有Mg2+的数目为,F-的数目为,K+的数目为1,晶胞的质量为:,密度为:,故D正确;
故选B。
9.C
【详解】A.由图甲晶胞结构及b点分数坐标可知,4个As原子位于Zn原子形成的四面体空隙中,a位于体内,其分数坐标为,故A错误;
B.由图甲晶胞结构可知,As原子位于体内,锌原子位于面心和顶点,晶胞中与As原子等距离且最近的锌原子有4个,故B错误;
C.图甲中锂原子位于棱上和体内,有个,锌原子位于面心和顶点,有个,As原子位于体内,有4个,所以晶体的密度是,故C正确;
D.由图乙晶胞可知,4个Mn原子位于顶点,1个Mn原子位于面心,均摊法可知每个晶胞有,4个Zn原子位于顶点、5个Zn原子位于面心,每个晶胞Zn原子为个,即Zn原子和Mn原子个数之比为3:1,故D错误;
故答案为:C。
10.A
【详解】
A .HCl分子中H原子的1s、Cl原子的3p轨道上有未成对电子,s和p轨道通过‘头碰头’方式重叠形成s-pσ键,形成过程为,故A正确;
B.HClO分子中,O原子为中心原子,O、H原子间共用1对电子对,O、Cl原子间共用1对电子对,其电子式为,故B错误;
C.SO3分子中S原子的价层电子对数为3+=3,无孤对电子,VSEPR模型为平面三角形,即,故C错误;
D.基态Cu原子的价层电子中,3d能级上10个电子、4s能级上1个电子,基态铜原子的价层电子轨道表示式:,故D错误;
故选:A。
11.D
【详解】
A.CO2分子中存在2个碳氧双键,电子式为,故A错误;
B.锗是第四周期ⅣA族元素,基态锗原子的简化电子排布式:,故B错误;
C.的空间结构为V形,故C错误;
D.铝原子最高能级为3p1,p轨道为哑铃型,电子云轮廓图为 ,故D正确;
选D。
12.A
【详解】
A.硅原子序数为14,则基态Si原子的价层电子的轨道表示式为:,A项错误;
B.中心原子价层电子对数为2+=3,且含有1个孤电子对,空间构型为V形,B项正确;
C.O2-含有10个电子,结构示意图为,C项正确;
D.顺-2-丁烯的分子式为C4H8,在双键碳原子的同侧为顺式,则顺-2-丁烯的分子球棍模型:,D项正确;
故选A。
13.A
【分析】Q是元素周期表中电负性最大的元素,Q为F;结合原子序数大小及成键数目可知Y为C、Z为N、W为O、X为H,据此解答。
【详解】A.电负性:同周期从左到右递增,同主族从上到下递减,则电负性F>O>N>C,故A正确;
B.同周期元素第一电离能从左到右呈增大趋势,但N的2p能级为半满稳定结构,其第一电离能大于O,则第一电离能:F>N >O >C,故B错误;
C.该分子中含H,H满足2电子稳定结构,故C错误;
D.该轨道表示式违背洪特规则,故D错误;
故选:A。
14.B
【详解】A.CH4中都是C—H键,键与键之间的排斥力一样,CH4是正四面体型,键角为109°28′,而氨气中有未成键的孤电子对,孤电子对间的排斥力>孤电子对对化学键的排斥力>化学键间的排斥力,所以分子的键角CH4>NH3,故A正确;
B.PH3和NH3都是三角锥形,电负性越大,分子的极性越强,电负性:N>P,故分子的极性PH3<NH3,故B错误;
C.同周期元素,从左到右第一电离能呈增大趋势,同主族元素,从上到下第一电离能逐渐减小,故第一电离能F>N>P,故C正确;
D.同主族元素从上到下,电子层数越多,半径越大,核外电子数相同时,核电荷数越大,半径越小,故离子的半径r(P3-)>r(N3-)>r(F-),故D正确;
故选B。
15.A
【详解】A.CO2的中心原子C原子的价层电子对数为2,C原子杂化类型为sp,CO2是非极性分子,A正确;
B.ClO与ClO中氯原子的价层电子对数均为4,杂化类型均为sp3,ClO中氯原子有一个孤电子对,ClO中氯原子有二个孤电子对,ClO中孤电子对与成键电子对之间的排斥力小于ClO中孤电子对与成键电子对之间的排斥力,导致键角:ClO>ClO,B错误;
C.该反应中,碳元素化合价由−2价变为+4价,氯元素化合价由+5价变为+4价,所以氧化剂是NaClO3,还原剂是甲醇,C错误;
D.ClO2中Cl原子提供1对电子,有一个O原子提供1个电子,另一个O原子提供1对电子,这5个电子处于互相平行的轨道中形成大π键,Cl提供孤电子对与其中一个O形成配位键,Cl与另一个O形成的是普通的共价键(σ键,这个O只提供了一个电子参与形成大π键),Cl的价层电子对数3,则Cl原子的轨道杂化方式为sp2,ClO2分子空间构型为V形,D错误;
故选A。
16.B
【详解】
A.Cr元素原子序数为24,价电子数目为6,由于同一能级的轨道半充满更稳定,基态Cr原子价层电子3d能级上有5个电子、4s能级上有1个电子,其价层电子轨道表示式为
B.N,N-二甲基甲酰胺的结构简式为,B正确;
C.中心原子N有3个键,孤电子对数为,价层电子对数为4,VSEPR模型为,故C错误;
D.的电子式为,故D错误;
故选B。
17.B
【详解】A.反应I中2个[L-Ru-NH3]+失去2个电子生成2个[L-Ru-NH3]2+,[L-Ru-NH3]+中Ru为+2价,[L-Ru-NH3]2+中Ru为+3价,A正确;
B.由图可知反应Ⅳ中只有非极性键的形成,B错误;
C.电催化氧化NH3合成N2H4为氧化反应,失电子,发生在电解池阳极区,C正确;
D.N2H4与NH3中 N 原子价层电子对数都是4, VSEPR 模型均为四面体形,D正确;
本题选B。
18.B
【详解】A.基态C原子的核外电子排布式是1s22s22p2,成对电子数为4,未成对电子数为2,其比值为2:1,故A正确;
B.同一周期从左往右原子的核内质子数逐渐增多,对最外层电子的引力逐渐增强,第一电离能有逐渐增大的趋势,但由于N原子的最外层电子达到了稳定的半充满结构,因此其第一电离能大于相邻元素,的第一电离能大小为,故B错误;
C.根据二维平面结构图得知,N原子的成键有两种方式,故配位数为2、3两种,故C正确;
D.g-C3N4晶体具有和石墨相似的层状结构,其中存在的微粒间作用力有极性键,层与层之间存在和范德华力,故D正确;
故选B。
19.C
【详解】A.Ti位于晶胞的顶点,从图中可知,与其距离最近的O位于面心处,一个面上有4个这样的O,而有三个这样相互垂直的面,因此离Ti最近的O有12个,A正确;
B.C位于晶胞的体心,离C最近的C位于与其相邻的晶胞的体心,一个晶胞周围与其相邻的晶胞有6个,因此离C最近的C有6个,B正确;
C.在另一种晶胞结构的表示中,C处于各顶角位置,则O处于棱心位置,C错误;
D.根据均摊法可知,该晶胞中有1个C、1个Ti和3个O,密度为ρ g/cm3,则边长a=×107nm,晶胞中Ti与O的最近距离为a,即,D正确;
故答案选C。
20.B
【详解】A.冰融化时,为物理变化,只破坏分子间作用力,而H-O键不变,A错误;
B.共价晶体中,共价键键能决定熔点,则共价键键能越大,熔点越高,B正确;
C.分子晶体中,分子间作用力越大,分子晶体的熔、沸点一定越高,与共价键的键能无关,C错误;
D.分子晶体中,共价键键能越大,该物质越稳定,与分子间作用力无关,D错误;
故答案为:B。
21.B
【分析】F、I的最低负化合价都为-2,为第ⅥA族元素,根据原子半径可知F为O,I为S;E、L的最高正化合价为+1,结合原子半径大小可知E为H,L为Na;K的最高正化合价为+2,结合原子半径可知K为Mg;G、J的最高正化合价为+3,结合原子半径可知G为B,J为Al;H的最低化合价为-1,为ⅦA族元素,其原子半径大于F,则H为Cl。
【详解】A.同周期元素从左到右电负性逐渐增强,同族元素从上到下电负性逐渐减弱,电负性大小:,A正确;
B.电子层数相同,原子序数越大,离子半径越小,离子半径:,B错误;
C.Mg核外电子排布处于全充满的稳定结构,其第一电离能大于相邻族元素,则第一电离能:,C正确;
D.Na、Mg、Al元素金属性逐渐减弱,最高价氧化物对应水化物碱性逐渐减弱,D正确;
答案选B。
22.D
【详解】A.C元素和元素均位于元素周期表区,A项正确;
B.每个晶胞中分子数目为=4,B项正确;
C.干冰属于分子晶体,C项正确;
D.由晶胞结构可知,每个分子周围紧邻等距的分子数为12,D项错误;
故选D。
23.C
【详解】A.离子所带电荷越大、离子半径越小,离子键越强,离子半径:F-<Cl-<Br-,则离子键强度:NaF>NaCl>NaBr,A项正确;
B.离子所带电荷越大、离子半径越小,离子键越强,离子晶体硬度越大,离子半径:Mg2+<Ca2+<Ba2+,则离子键强度:MgO>CaO>BaO,硬度:MgO>CaO>BaO,B项正确;
C.离子所带电荷越大、离子半径越小,晶格能越大,离子晶体熔点越高,离子半径:Na+>Mg2+>Al3+,Na+、Mg2+、Al3+所带电荷逐渐增大,则晶格能:NaF<MgF2<AlF3,熔点:NaF<MgF2<AlF3,C项错误;
D.CsCl晶体中1个Cl-周围等距离且最近的Cs+有8个,NaCl晶体中1个Cl-周围等距离且最近的Na+有6个,D项正确;
答案选C。
24.B
【详解】A.晶体与非晶体的最可靠的科学方法是X射线衍射法;X射线衍射可测定铁晶体的结构,故A正确;
B.图2代表的铁单质中,以底面中心的原子为例,上层、同层、下层各有4个紧邻的原子,故一个铁原子周围最多有12个紧邻的铁原子,故B错误;
C.铁为金属晶体,铁单质中,原子之间以金属键相互结合,故C正确;
D.图1中,据“均摊法”,晶胞中含个Fe,则晶体密度为;同理图2中,晶体密度为;故铁单质的密度不同,故D正确;
故选B。
25.D
【详解】A.六方相氮化硼结构与石墨相似,有大键,但氮的电负性大吸引电子能力强,导致π电子不能自由移动,故A正确;
B.六方相氮化硼层间为分子间作用力,和石墨结构类似,为混合晶体,立方相氮化硼为空间网状结构,不存在分子,为共价晶体;类比石墨的熔点高于金刚石,所以六方相氮化硼熔点高于立方相氮化硼,故B正确;
C.B原子最外层有3个电子,存在空轨道,N原子最外层有5个电子,存在孤电子对,所以立方相氮化硼含配位键N→B,故C正确;
D.六方相氮化硼晶体中层内每个硼原子与相邻的3个氮原子构成平面三角形,每个共价键未被共有,所以1 ml六方相氮化硼含3x ml B-N共价键,故D错误;
故选D。
26.A
【详解】A.从晶胞图中可看到Ca在晶胞的顶点,数目为,Cr在体心,数目是1个,O原子在晶胞的面心,数目为,晶胞参数为,故密度为,故A项正确;
B.基态Cr的价层电子排布式为,故B项错误;
C.与Ca配位的O位于晶胞面对角线的中点,距离Ca相等的共有12个,故C项错误;
D.和互为同位素,形成的化合物在化学性质上无差异,D项错误;
故选:A。
27.D
【详解】A.由晶胞结构图,晶胞中Cu的个数为,K的个数,F的个数,则Cu、K、F的个数比为1:2:4,所以化合物X的化学式为K2CuF4,反应的方程式为4K+CuCl2+2F2=2KCl+K2CuF4,所以CuCl2与F2的物质的量之比为1:2,A正确;
B.基态F原子电子排布为1s22s22p5,电子占据5个原子轨道,有5种空间运动状态,B正确;
C.由晶胞结构图,Cu原子填充在由F原子构成的八面体空隙中,C正确;
D.化合物X的密度即晶体的密度,即ρ=,D错误;
故选D。
28.D
【详解】A.图①中18-冠-6中不含有阴离子,与K+间不能形成离子键,应为18-冠-6通过配位键与K+作用,体现了超分子“分子识别”的特征,A不正确;
B.图②物质属于离子晶体,构成阳离子的基团较NaBF4中半径更大,离子键能更弱,具有较低的熔沸点,B不正确;
C.图③晶体磷化硼晶胞中,六个面心都存在P原子,则沿轴方向上的投影图为 ,C不正确;
D.图③晶胞中,含有4个B原子,含P原子个数为,参数为,则晶体的密度为=g∙cm-3,D正确;
故选D。
29.B
【详解】A.氙元素的原子序数为54,基态原子的价电子排布式为5s25p6,则氙元素位于元素周期表p区,故A正确;
B.由晶胞结构可知,位于顶点和体心的大球个数为8×+1=2,位于棱上和体内的小球个数为8×+2=4,由二氟化氙的分子式可知,氟原子位于棱上和体内,故B错误;
C.由晶胞结构可得如下示意图:,图中A位于晶胞的体心,到底面的距离为pm,B位于棱上,到底面的距离为rpm,y为面对角线的,则y=pm、x=(-r)pm,则由勾股定理可知,晶胞中A、B间距离,故C正确;
D.由二氟化氙在室温下易升华可知,二氟化氙是熔沸点低的分子晶体,故D正确;
故选B。
30.C
【分析】W、X、Y、Z、Q五种短周期元素,原子序数依次增大,且占据三个不同的周期。X的一种简单氢化物常用作制冷剂,液氨常做制冷剂,故X为N元素;Y在地壳中的含量最高,Y为O元素,Z的基态原子价层电子排布式为ns1,原子序数Z大于O元素,故Z为第三周期的元素,Z为Na元素;Q的基态原子轨道中有2个未成对电子,价层电子排布式为3s23p2或3s23p4,Q可能是Si元素或S元素;W应位于第一周期,W为H元素。
【详解】A.Z为Na元素,Q可能是Si元素或S元素,两者位于同一周期。同一周期从左到右原子半径逐渐减小,原子半径Na>Si,即原子半径:Z > Q >Y,A错误;
B.Y为O元素,X为N元素,W为H元素,同一周期从左到右第一电离能有增大的趋势,但N的2p能级处于半充满状态,使得第一电离能大于O,故第一电离能:N>O>H,即X > Y >W,B错误;
C.Q可能是Si元素或S元素,最高价氧化物对应的水化物可能为硅酸、硫酸,硅酸为弱酸,硫酸是强酸,C正确;
D.X为N元素、W为H元素、Y为O元素,NH3中心原子N的价层电子对数为,孤电子对数为1,故NH3为三角锥形;中N的价层电子对数为,孤电子对数为0,该离子为平面三角形,D错误;
故答案为:C。
31.A
【详解】A.根据价层电子对互斥模型计算可知,和中N原子的价层电子对数均为3,其VSEPR模型均为平面三角形,A正确;
B.中C原子为杂化,N原子为杂化,二者的杂化方式不同,B错误;
C.基态Cr原子的外围电子排布式为,基态Fe原子的外围电子排布式为,二者的未成对电子数分别为6和4,不相同,C错误;
D.Se的轨道表示式应为,若写作,不符合泡利不相容原理,D错误;
故选A。
【命题意图】本题以常见元素和物质创设情境,考查分子空间构型和核外电子排布,涉及价层电子对互斥模型、杂化轨道理论、核外电子排布、轨道表示式等考点。
32.D
【分析】根据电荷守恒,可知a=4。
【详解】A.根据元素守恒,微粒Y中含有3个Fe、4个O,化学式为:,故A错误;
B.分子中含有氧氧双键,电子式为,故B错误;
C.的VSEPR模型为:,故C错误;
D.Fe是26号元素,原子结构示意图为:,故D正确;
选D。
33.C
【详解】A. 和CH4中心原子的价层电子对数都是4,VSEPR 模型均为四面体形,A正确;
B.过程③中CH3CHO转化为CH4和CO,发生结构变化,有C-H键断,C-C键断,即存在极性键和非极性键的断裂,B正确;
C.金属Cu、C、Ni能导电是因为其中含有自由移动的电子,自由电子不是在外加电场作用下产生的,在外加电场的作用下,这些自由电子会定向移动,从而形成电流,C错误;
D.、分子中都含有氧原子,氧原子的电负性较强,可以与水分子中的氢原子形成氢键,从而增加了 和在水中的溶解度,D正确;
故选C。
34.D
【详解】A.乙醇和二甲醚互为同分异构体,但由于乙醇中存在分子间氢键,而二甲醚中不存在,导致乙醇(78.3℃)的沸点高于二甲醚(-29.5℃),即与氢键作用有关,A不合题意;
B.AlF3是离子晶体,AlCl3是分子晶体,作用力:离子键>范德华力,导致AlF3的熔点远高于AlCl3,则AlF3的熔点远高于AlCl3与晶体类型有关,B不合题意;
C.电负性:F>Cl,故PF3中共用电子对离P更远,排斥力更小,键角更小,且原子半径:F<Cl,故PF3的键角小于PCl3,即与F、Cl的电负性差异有关,C不合题意;
D.热分解温度:HBr为500℃,HI为300℃,稳定性HBr>HI,是由于非金属性Br>I,导致H-Br的键能比H-I的键能大,与分子间作用力无关,D符合题意;
故答案为:D。
35.D
【详解】A.P4S3中的S元素为-2价,P为+1.5价,A错误;
B.该物质分子中含有σ键,无π键,B错误;
C.该物质为分子晶体,熔沸点较低,因此C错误;
D.11g该物质是0.05ml,含S原子0.15NA,即约为,D正确。
故本题选D。
36.(1)
(2) 的原子半径小于 、、原子半径依次增大,键、键、键键长依次增大,键能依次减小
(3)平面三角形
(4)共价晶体
(5) 21.4%
【详解】(1)
基态锗原子的价层电子排布式为,轨道表示式为;
(2)和为同主族元素,从上至下,原子半径增大,电负性减小。、、与之间形成的共价键键长依次增大,键能依次减小,故、、的稳定性依次减弱;
(3)中原子的价层电子对数为,没有孤电子对,为杂化,VSEPR模型名称为平面三角形;
(4)依题意,碳化硅()熔点为2700°C,碳化硅熔点高、硬度大,故它是共价晶体;
(5)铁碳晶胞中,铁原子位于顶点和面心,碳原子位于棱心和体心,1个晶胞有4个铁、4个碳,化学式为。依题意,晶胞体积不变,晶体密度之比等于质量之比,则晶体密度净增百分率为。
37.(1)为离子晶体,熔点高,其他三种均为分子晶体,随相对分子质量的增大分子间作用力增大,熔点逐渐升高
(2) C、N原子处于同一周期,电子层数相同,核电荷数,原子半径,形成化学键时C原子吸引电子的能力弱,电负性 或或 或或 和中的N原子均为杂化,中N原子无孤电子对,中N原子有一对孤电子对,孤电子对与成键电子对间的斥力大于成键电子对之间的斥力
(3)的半径小于,使阴离子与阳离子间的离子间距变小,作用力增大,不易产生空位
【详解】(1)熔点高于其他三种卤化物,自至熔点依次升高,原因是为离子晶体,熔点高,其他三种均为分子晶体,随相对分子质量的增大分子间作用力增大,熔点逐渐升高。故答案为:为离子晶体,熔点高,其他三种均为分子晶体,随相对分子质量的增大分子间作用力增大,熔点逐渐升高;
(2)①有机阳离子中C原子和N原子的电负性大小比较:CN,从原子结构的角度说明理由:C、N原子处于同一周期,电子层数相同,核电荷数,原子半径,形成化学键时C原子吸引电子的能力弱,电负性。故答案为:;C、N原子处于同一周期,电子层数相同,核电荷数,原子半径,形成化学键时C原子吸引电子的能力弱,电负性;
②若将晶胞中的A坐标定义为,B坐标定义为1,1,1,则过A点的三个相互垂直的面面心的三个点离A最近,微粒的坐标为或或(任写其一)。若将晶胞中心微粒的坐标定义为,则与其紧邻的的坐标为或或,如图。故答案为:或或;或或;
③键角大小比较:,原因是和中的N原子均为杂化,中N原子无孤电子对,中N原子有一对孤电子对,孤电子对与成键电子对间的斥力大于成键电子对之间的斥力。故答案为:;和中的N原子均为杂化,中N原子无孤电子对,中N原子有一对孤电子对,孤电子对与成键电子对间的斥力大于成键电子对之间的斥力;
(3)晶体生长过程中容易产生晶体缺陷,造成空位。用替换可改善这种情况的可能原因是的半径小于,使阴离子与阳离子间的离子间距变小,作用力增大,不易产生空位。故答案为:的半径小于,使阴离子与阳离子间的离子间距变小,作用力增大,不易产生空位。
题号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
答案
B
B
A
B
B
C
B
B
C
A
题号
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
答案
D
A
A
B
A
B
B
B
C
B
题号
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
答案
B
D
C
B
D
A
D
D
B
C
题号
31
32
33
34
35
答案
A
D
C
D
D
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