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    考点17 晶体,晶胞及相关性质—五年(2020—2024)高考化学真题专项分类汇编(含答案)
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    考点17 晶体,晶胞及相关性质—五年(2020—2024)高考化学真题专项分类汇编(含答案)

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    这是一份考点17 晶体,晶胞及相关性质—五年(2020—2024)高考化学真题专项分类汇编(含答案),共13页。试卷主要包含了单选题等内容,欢迎下载使用。


    一、单选题
    1.下列物质均为共价晶体且成键结构相似,其中熔点最低的是( )
    A.金刚石(C)B.单晶硅()
    C.金刚砂()D.氮化硼(,立方相)
    2.是一种高活性的人工固氮产物,其合成反应为,晶胞如图所示,下列说法错误的是( )
    A.合成反应中,还原剂是LiH和C
    B.晶胞中含有的个数为4
    C.每个周围与它最近且距离相等的有8个
    D.为V型结构
    3.研究人员制备了一种具有锂离子通道的导电氧化物(),其立方晶胞和导电时迁移过程如图所示。已知该氧化物中为+4价,为+3价。下列说法错误的是( )
    A.导电时,和的价态不变
    B.若,与空位的数目相等
    C.与体心最邻近的O原子数为12
    D.导电时、空位移动方向与电流方向相反
    4.晶体中,多个晶胞无隙并置而成的结构如图甲所示,其中部分结构显示为图乙,下列说法错误的是( )
    A.电负性:
    B.单质是金属晶体
    C.晶体中存在范德华力
    D.离子的配位数为3
    5.我国科学家首次合成了化合物[K(2,2,2-crypt)]。其阴离子为全金属富勒烯(结构如图),具有与富勒烯相似的高对称性。下列说法错误的是( )
    A.富勒烯是分子晶体
    B.图示中的位于Au形成的二十面体笼内
    C.全金属富勒烯和富勒烯互为同素异形体
    D.锑(Sb)位于第五周期第ⅤA族,则其基态原子价层电子排布式是
    6.金属铋及其化合物广泛应用于电子设备、医药等领域。如图是铋的一种氟化物的立方晶胞及晶胞中M、N、P、Q点的截面图,晶胞的边长为,为阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是( )
    A.该铋氟化物的化学式为
    B.粒子S、T之间的距离为
    C.该晶体的密度为
    D.晶体中与铋离子最近且等距的氟离子有6个
    7.黄金按质量分数分级,纯金为24K。合金的三种晶胞结构如图,Ⅱ和Ⅲ是立方晶胞。下列说法错误的是( )
    A.Ⅰ为18K金
    B.Ⅱ中Au的配位数是12
    C.Ⅲ中最小核间距
    D.Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ中,Au与Cu原子个数比依次为1:1、1:3、3:1
    8.在超高压下转化为平行六面体的分子(如图)。下列说法错误的是( )
    A.和互为同素异形体B.中存在不同的氧氧键
    C.转化为是熵减反应D.常压低温下能稳定存在
    9.配合物的分子结构以及分子在晶胞中的位置如图所示,下列说法错误的是( )
    A.中心原子的配位数是4B.晶胞中配合物分子的数目为2
    C.晶体中相邻分子间存在范德华力D.该晶体属于混合型晶体
    10.科学家合成了一种高温超导材料,其晶胞结构如图所示,该立方晶胞参数为。阿伏伽德罗常数的值为。下列说法错误的是( )
    A.晶体最简化学式为
    B.晶体中与最近且距离相等的有8个
    C.晶胞中B和C原子构成的多面体有12个面
    D.晶体的密度为
    11.晶体结构的缺陷美与对称美同样受关注。某富锂超离子导体的晶胞是立方体(图1),进行镁离子取代及卤素共掺杂后,可获得高性能固体电解质材料(图2)。下列说法错误的是( )
    A.图1晶体密度为
    B.图1中O原子的配位数为6
    C.图2表示的化学式为
    D.取代产生的空位有利于传导
    12.镧La和H可以形成一系列晶体材料,在储氢和超导等领域具有重要应用。属于立方晶系,晶胞结构和参数如图所示。高压下,中的每个H结合4个H形成类似的结构,即得到晶体。下列说法错误的是( )
    A.晶体中La的配位数为8
    B.晶体中H和H的最短距离:
    C.在晶胞中,H形成一个顶点数为40的闭合多面体笼
    D.单位体积中含氢质量的计算式为
    13.锆(Zr)是重要的战略金属,可从其氧化物中提取。如图是某种锆的氧化物晶体的立方晶胞,为阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是( )
    A.该氧化物的化学式为
    B.该氧化物的密度为
    C.Zr原子之间的最短距离为
    D.若坐标取向不变,将p点Zr原子平移至原点,则q点Zr原子位于晶胞xy面的面心
    14.、属于第三代半导体材料,二者成键结构与金刚石相似,晶体中只存在键、键。下列说法错误的是( )
    A.的熔点高于B.晶体中所有化学键均为极性键
    C.晶体中所有原子均采取杂化D.晶体中所有原子的配位数均相同
    15.某立方卤化物可用于制作光电材料,其晶胞结构如图所示。下列说法错误的是( )
    A.的配位数为6B.与距离最近的是
    C.该物质的化学式为D.若换为,则晶胞棱长将改变
    16.下列各组物质的晶体类型相同的是( )
    A.和 B.和 C.和 D.和
    参考答案
    1.答案:B
    解析:金刚石(C)、单晶硅(Si)、金刚砂(SiC)、立方氮化硼(BN),都为共价晶体,结构相似,则原子半径越大,键长越长,键能越小,熔沸点越低,在这几种晶体中,键长Si-Si>Si-C>B-N>C-C,所以熔点最低的为单晶硅。
    故选B。
    2.答案:D
    解析:A.LiH中H元素为-1价,由图中化合价可知,N元素为-3价,C元素为+4价,根据反应可知,H元素由-1价升高到0价,C元素由0价升高到+4价,N元素由0价降低到-3价,由此可知还原剂是和C,故A正确;
    B.根据均摊法可知,位于晶胞中的面上,则含有的个数为,故B正确;C.观察位于体心的可知,与它最近且距离相等的有8个,故C正确;D.的中心原子C原子的价层电子对数为,且与互为等电子体,可知为直线型分子,故D错误;故答案选D。
    3.答案:B
    解析:由题可知导电时发生迁移,没有发生化学变化,Ti和La的化合价不变,A项正确;由晶胞图可知,中和空位均位于晶胞体心,则空位数目,根据化合物中正负化合价代数和为0可得,若,则,空位数目为与空位的数目不相等,B项错误;与体心最邻近的O原子位于12条棱的棱心,共12个,C项正确;内电路中电流从负极流向正极,阳离子()也移向正极,空位移动方向与移动方向相反,故空位移动方向与电流方向相反,D项正确。
    4.答案:D
    解析:A.电负性越大的元素吸引电子的能力越强,活泼金属的电负性小于活泼非金属,因此,Mg的电负性小于Cl,A正确;B.金属晶体包括金属单质及合金,单质Mg是金属晶体,B正确;C.由晶体结构可知,该结构中存在层状结构,层与层之间存在范德华力,C正确;D.由图乙中结构可知,每个与周围有6个最近且距离相等,因此,的配位数为6,D错误;综上所述,本题选D。
    5.答案:C
    解析:A.富勒烯是由分子通过范德华力结合形成的分子晶体,A正确;
    B.由题图可知,中心周围有12个Au形成二十面体笼(每个面为三角形,上、中、下层分别有5、10、5个面),B正确;
    C.全金属富勒烯不是碳元素的单质,因此其与富勒烯C60不能互为同素异形体,C错误;
    D.锑(Sb)位于第五周期第ⅤA族,则根据元素位置与原子结构关系可知:其基态原子价层电子排布式是,D正确;
    故合理选项是C。
    6.答案:D
    解析:根据均摊法可知,该晶胞中Bi的个数为,F的个数为,故该铋氟化物的化学式为,A正确;如图所示,根据勾股定理可知,,则为直角,,ST与AG平行且相等,则粒子S、T之间的距离为,B正确;该晶体密度为,C正确;以题给晶胞体心处铋离子为研究对象,距离其最近的氟离子为位于该晶胞体内的8个氟离子,D错误。
    7.答案:C
    解析:纯金为24K,则18K金中金的质量分数为75%,Ⅰ中Au位于体心,个数为1,Cu位于顶点,个数为,则Au的质量分数为,为18K金,A正确;Ⅱ中Au位于顶点,个数为,Cu位于面心,个数为,晶体化学式为,1个Cu周围有4个Au,则1个Au周围有12个Cu,Au的配位数是12,B正确;Ⅲ中和的最小核间距均为面对角线长度的,故最小核间距,C错误;结合上述分析可知,Ⅰ中Au、Cu原子个数比为1:1,Ⅱ中Au、Cu原子个数比为1:3,Ⅲ中Au位于面心,个数为,Cu位于顶点,个数为,Au、Cu原子个数比为3:1,D正确。
    8.答案:D
    解析:、均为由O元素形成的不同单质,二者互为同素异形体,A正确;分子中存在不同键长的氧氧键,B正确;,该反应为气体分子数减少的反应,是熵减反应,C正确;超高压下有利于平衡正向移动,则常压下平衡逆向移动,不能稳定存在,D错误。
    9.答案:D
    解析:由配合物的分子结构可知,中心原子M形成了4个配位键,故中心原子M的配位数是4,A正确;由晶胞结构可知,晶胞中配合物分子位于晶胞顶点和上下底面面心,数目为,B正确;该晶体为配合物分子组成的分子晶体,晶体中相邻分子间存在范德华力,C正确,D错误。
    10.答案:C
    解析:A.根据晶胞结构可知,其中K个数:8×=1,其中Ca个数:1,其中B个数:12×=6,其中C个数:12×=6,故其最简化学式为,A正确;B.根据晶胞结构可知,位于晶胞体心,Ca位于定点,则晶体中与最近且距离相等的有8个,B正确;C.根据晶胞结构可知,晶胞中B和C原子构成的多面体有14个面,C错误;D.根据选项A分析可知,该晶胞最简化学式为,则1个晶胞质量为:,晶胞体积为,则其密度为,D正确。
    11.答案:C
    解析:A.根据均摊法,图1的晶胞中含Li:8×+1=3,O:2×=1,Cl:4×=1,1个晶胞的质量为g=g,晶胞的体积为,则晶体的密度为,A项正确;
    B.图1晶胞中,O位于面心,与O等距离最近的Li有6个,O原子的配位数为6,B项正确;
    C.根据均摊法,图2中Li:1,Mg或空位为8×=2。O:2×=1,Cl或Br:4×=1,Mg的个数小于2,根据正负化合价的代数和为0,图2的化学式为,C项错误;
    D.进行镁离子取代及卤素共掺杂后,可获得高性能固体电解质材料,说明取代产生的空位有利于的传导,D项正确;
    答案选C。
    12.答案:C
    解析:以上底面的La为研究对象,晶体中距离该La最近且相等的H原子分别位于其上方和下方,共8个,故La的配位数为8,A正确;由和的晶胞结构知,中H与H的最短距离为晶胞边长的一半,则H与H的最短距离:大于,B正确;在晶胞中,共有5×8=40个H原子,将分成8个小立方体,在每个小立方体内,有5个H形成正四面体结构,则整个晶胞中40个H原子不全在闭合多面体曲面上,C错误;每个晶胞中含40个原子,H原子密度为,D正确。
    13.答案:B
    解析:由题给晶胞可知,晶胞中Zr原子均位于晶胞内部,Zr原子个数为4,O原子位于顶点、面心、棱心、体心,由均摊法可知,O原子个数为,则该氧化物的化学式为,A项正确;该晶胞的质量为,晶胞的体积为,晶体的密度为,B项错误;由图可知将晶胞中p、q两点的Zr原子连线可得Zr原子之间的最短距离,该线段平行于面,将该线段投影至面上(如图),p、q之间的距离为晶胞底面对角线长度的一半,即,C项正确;根据图中所示坐标系,p点坐标为(,,),q点坐标为(,,),若将p点Zr原子平移至原点,晶胞中各点坐标均由变为(),因此q点坐标变为(,,0),即位于晶胞面的面心,D项正确。
    14.答案:A
    解析:GaN和AlN均为共价晶体,N—Ga键比N—Al键的键长长,键能小,因此GaN的熔点低于AlN,A项错误;晶体中只存在N—Ga键、N—Al键,均为极性键,B项正确;二者成键结构与金刚石相似,则1个Al(或Ga)周围有4个N,1个N周围有4个Al(或Ga),N、Al、Ca均无孤电子对,杂化轨道数均为4,杂化类型均为,C项正确,D项正确。
    15.答案:B
    解析:在晶胞体心,与其距离相等且最近的为在面心处的,故A项正确;与的最近距离是棱长的一半,与的最近距离是面对角线长度的一半,则与距离最近的是,B项错误;在体心,个数为1,在面心,个数为,在顶角,个数为,故C项正确;若换为半径大,故晶胞棱长将改变,D项正确。
    16.答案:C
    解析:A二氧化硅为共价晶体,二氧化硫为分子晶体,故A不选;B.碘为分子晶体,氯化钠为离子晶体,故B不选;C铜和银都是金属晶体,故C选;D.碳化硅为共价晶体,氧化镁为离子晶体,故D不选;故选:C
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